| 目录 | 第1-5页 |
| 中文摘要 | 第5-7页 |
| 英文摘要 | 第7-10页 |
| 1 引言 | 第10-33页 |
| ·SiC材料的普遍性质及应用 | 第10-12页 |
| ·力学和化学性质 | 第10页 |
| ·带隙宽度 | 第10-11页 |
| ·击穿电场强度 | 第11页 |
| ·电子饱和漂移速率和迁移率 | 第11页 |
| ·热传导率 | 第11-12页 |
| ·研究历史 | 第12-13页 |
| ·晶体结构 | 第13-15页 |
| ·3C-SiC(111)和6H-SiC(0001)Si端表面再构 | 第15-19页 |
| ·(3~(1/2)×3~(1/2))R30°再构 | 第15-16页 |
| ·(3×3)再构 | 第16-17页 |
| ·(2(3~(1/2))×2(3~(1/2)))R30°再构 | 第17-19页 |
| ·3C-SiC(001)表面再构 | 第19-25页 |
| ·3C-SiC(001)C端表面再构 | 第19-21页 |
| ·3C-SiC(001)Si端表面(2×1)再构 | 第21-22页 |
| ·3C-SiC(001)Si端表面c(4×2)再构 | 第22-23页 |
| ·3C-SiC(001)Si端表面c(3×2)再构 | 第23-25页 |
| ·论文的目的 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-33页 |
| 2 密度泛函理论和第一性原理计算 | 第33-48页 |
| ·密度泛函理论 | 第33-38页 |
| ·绝热近似 | 第33-34页 |
| ·密度泛函理论 | 第34-35页 |
| ·LDA近似 | 第35-36页 |
| ·GGA近似 | 第36-37页 |
| ·布洛赫定理 | 第37-38页 |
| ·赝势方法 | 第38-42页 |
| ·模守恒赝势 | 第40-41页 |
| ·超软赝势 | 第41-42页 |
| ·电子驰豫和离子驰豫 | 第42-45页 |
| ·电子驰豫 | 第42-43页 |
| ·离子驰豫 | 第43-45页 |
| ·处理表面的超原胞方法 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 3 6H-SiC(0001)-(3×3)表面的原子和电子结构 | 第48-62页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·计算方法和模型 | 第49-50页 |
| ·结果和讨论 | 第50-58页 |
| ·表面的原子结构 | 第50-53页 |
| ·表面电子结构 | 第53-57页 |
| ·形成机制 | 第57-58页 |
| ·结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 4 3C-SiC(111)和6H-SiC(0001)表面(2(3~(1/2))×2(3~(1/2)))R30°再构的原子和电子结构 | 第62-77页 |
| ·引言 | 第62-64页 |
| ·计算方法和模型 | 第64页 |
| ·结果和讨论 | 第64-74页 |
| ·3C-SiC(111)-(2(3~(1/2))×2~(3~(1/2)))R30°表面的原子和电子结构 | 第65-68页 |
| ·6H-SiC(0001)-(2~(3~(3~(1/2))×2(3~(1/2)))R30°表面的原子和电子结构 | 第68-72页 |
| ·(2~(3~(1/2))×2(3~(1/2)))R30°再构各种模型的稳定性 | 第72-74页 |
| ·结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 论文发表情况 | 第78-79页 |
