InP纳米晶浮栅型存储器制备与仿真研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 存储器的发展与现状 | 第10-12页 |
| 1.2 浮栅型存储器简介 | 第12-14页 |
| 1.3 浮栅存储器面临的挑战 | 第14页 |
| 1.4 浮栅存储器的发展方向 | 第14-16页 |
| 1.5 本文主要工作内容及安排 | 第16-18页 |
| 2 纳米晶浮栅存储器存储机制与保持特性仿真 | 第18-30页 |
| 2.1 纳米晶浮栅存储器基本工作机制 | 第18-21页 |
| 2.2 纳米晶存储器保持特性建模与讨论 | 第21-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-30页 |
| 3 纳米晶浮栅存储器的制备工艺及表征手段 | 第30-40页 |
| 3.1 纳米晶存储器制备流程 | 第30-36页 |
| 3.2 纳米晶性能表征 | 第36-38页 |
| 3.3 电学特性测量 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 InP纳米晶存储电容的制备及表征 | 第40-52页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 InP存储电容制备 | 第40-42页 |
| 4.3 器件测试及结果分析 | 第42-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 5 双隧穿层结构InP纳米晶存储电容的制备及表征 | 第52-63页 |
| 5.1 引言 | 第52-53页 |
| 5.2 双隧穿层结构InP存储电容制备 | 第53-55页 |
| 5.3 器件测试及结果分析 | 第55-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 6 总结与展望 | 第63-66页 |
| 6.1 全文总结与创新点 | 第63-64页 |
| 6.2 工作展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第74页 |
