| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| 一. 自组装技术简介 | 第11-17页 |
| ·自组装膜的类型 | 第11-12页 |
| ·自组装膜的结构 | 第12-13页 |
| ·自组装膜的研究方法 | 第13-14页 |
| ·自组装膜在电分析化学中的应用 | 第14-16页 |
| ·自组装技术研究前景 | 第16-17页 |
| 二. 碳纳米管及相关研究简介 | 第17-19页 |
| ·碳纳米管的制备方法与性质 | 第17-18页 |
| ·碳纳米管的化学修饰 | 第18页 |
| ·碳纳米管在电分析领域的应用 | 第18-19页 |
| ·碳纳米管研究展望 | 第19页 |
| 三. 吩噻嗪及其衍生物的研究 | 第19-20页 |
| 四. 本论文的选题思路与设计 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-30页 |
| 第二章 三氟拉嗪在十烷基硫醇自组装膜修饰金电极上的电化学行为研究及测定 | 第30-40页 |
| 一. 引言 | 第30-31页 |
| 二. 实验部分 | 第31-32页 |
| ·实验试剂 | 第31页 |
| ·实验仪器 | 第31页 |
| ·C_(10)H_(21)SH／Au自组装膜修饰电极(SAM)的制备 | 第31页 |
| ·实验方法 | 第31-32页 |
| 三. 结果与讨论 | 第32-37页 |
| ·C_(10)H_(21)SH／Au自组装膜修饰电极(SAM)的电化学表征 | 第32-33页 |
| ·三氟拉嗪的循环伏安图 | 第33-34页 |
| ·扫描速度的影响 | 第34页 |
| ·pH的影响 | 第34-35页 |
| ·缓冲溶液的影响 | 第35页 |
| ·富集时间和富集电位的影响 | 第35页 |
| ·工作曲线 | 第35页 |
| ·表面活性剂的影响 | 第35-37页 |
| ·有机溶剂的影响 | 第37页 |
| ·干扰物的影响 | 第37页 |
| ·分析应用 | 第37页 |
| 四. 本章结论 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 丙氯拉嗪在十二烷基硫醇自组装膜及多壁碳纳米管／十二烷基硫醇双层修饰金电极上的溶出伏安行为研究 | 第40-54页 |
| 一. 引言 | 第40-41页 |
| 二. 实验部分 | 第41-42页 |
| ·实验试剂 | 第41页 |
| ·实验仪器 | 第41页 |
| ·MWNTs的纯化及修饰电极的制备 | 第41页 |
| ·实验方法 | 第41-42页 |
| 三. 结果与讨论 | 第42-50页 |
| ·修饰电极的伏安行为 | 第42-43页 |
| ·丙氯拉嗪在DDT／Au上的循环伏安图 | 第43-46页 |
| ·扫描速度的影响 | 第44页 |
| ·pH的影响 | 第44-45页 |
| ·缓冲溶液的影响 | 第45页 |
| ·富集时间和富集电位的影响 | 第45页 |
| ·工作曲线 | 第45页 |
| ·表面活性剂的影响 | 第45-46页 |
| ·丙氯拉嗪在MWNTs／DDT／Au上的伏安行为 | 第46-50页 |
| ·扫描速度的影响 | 第47-48页 |
| ·pH及缓冲溶液的影响 | 第48页 |
| ·富集时间和富集电位的影响 | 第48-49页 |
| ·MWNTs用量的影响 | 第49页 |
| ·工作曲线 | 第49页 |
| ·MWNTs／DDT／Au电极的再生和重现性 | 第49-50页 |
| 四. 本章结论 | 第50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 第四章 氟奋乃静在多壁碳纳米管／3-巯基丙基-三甲氧基硅烷双层修饰金电极上的电化学行为及测定 | 第54-65页 |
| 一. 引言 | 第54-55页 |
| 二. 实验部分 | 第55-56页 |
| ·实验试剂 | 第55页 |
| ·实验仪器 | 第55页 |
| ·修饰电极的制备 | 第55页 |
| ·实验方法 | 第55-56页 |
| 三. 结果与讨论 | 第56-61页 |
| ·修饰电极的电化学表征 | 第56-57页 |
| ·氟奋乃静的循环伏安图 | 第57-58页 |
| ·扫描速度的影响 | 第58页 |
| ·pH的影响 | 第58-59页 |
| ·缓冲溶液的影响 | 第59页 |
| ·富集时间和富集电位的影响 | 第59-60页 |
| ·MWNTs用量的影响 | 第60页 |
| ·工作曲线 | 第60页 |
| ·MWNTs／MPS／Au双层修饰电极的再生和重现性 | 第60页 |
| ·干扰物的影响 | 第60页 |
| ·分析应用 | 第60-61页 |
| 四. 本章结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 附录 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
