SnO2和ZnO纳米材料的合成及其气敏和光敏性能的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·氧化物半导体简介 | 第13-16页 |
| ·氧化物半导体的种类 | 第13页 |
| ·氧化物半导体纳米材料的主要特性及应用 | 第13-14页 |
| ·氧化物半导体纳米材料的研究现状 | 第14-16页 |
| ·纳米SnO_2的研究概况 | 第16-21页 |
| ·纳米SnO_2的制备方法 | 第17-20页 |
| ·SnO_2纳晶薄膜的制备 | 第17-18页 |
| ·SnO_2纳米带的制备 | 第18-20页 |
| ·纳米结构SnO_2的应用 | 第20-21页 |
| ·纳米ZnO的研究概况 | 第21-24页 |
| ·纳米结构ZnO的制备方法 | 第22-23页 |
| ·纳米ZnO的应用 | 第23-24页 |
| ·本论文的设想 | 第24-26页 |
| 第二章 SnO_2纳米带的制备与性能测试 | 第26-45页 |
| ·前言 | 第26-27页 |
| ·实验部分 | 第27-30页 |
| ·实验材料 | 第27页 |
| ·实验设备与操作步骤 | 第27-29页 |
| ·仪器表征 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-35页 |
| ·SnO_2纳米带的形貌表征 | 第30-31页 |
| ·SnO_2纳米带的结构表征 | 第31-32页 |
| ·SnO_2纳米带的组成表征 | 第32-34页 |
| ·SnO_2纳米带的生长机理 | 第34-35页 |
| ·SnO_2纳米带的性能测试 | 第35-44页 |
| ·SnO_2纳米带的气敏性能测试 | 第35-37页 |
| ·SnO_2纳米带的光电性能测试 | 第37-41页 |
| ·SnO_2纳米带的光催化性能测试 | 第41-42页 |
| ·SnO_2纳米带锂电负极性能测试 | 第42-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第三章 电化学沉积制备SnO_2纳晶薄膜 | 第45-55页 |
| ·前言 | 第45-46页 |
| ·实验部分 | 第46-48页 |
| ·实验材料 | 第46页 |
| ·实验步骤 | 第46-47页 |
| ·仪器表征 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-54页 |
| ·丁基罗丹明B的性质 | 第48页 |
| ·SnCl_2浓度的影响 | 第48-49页 |
| ·沉积电压的影响 | 第49-50页 |
| ·旋转圆盘电极转速的影响 | 第50-51页 |
| ·丁基罗丹明B浓度的影响 | 第51-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第四章 电化学沉积制备ZnO纳晶薄膜 | 第55-69页 |
| ·前言 | 第55-56页 |
| ·实验部分 | 第56-59页 |
| ·实验材料 | 第56-57页 |
| ·实验步骤 | 第57-58页 |
| ·仪器表征 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-67页 |
| ·曙红的性质及其影响 | 第59-62页 |
| ·沉积电压的影响 | 第62-64页 |
| ·光电测试及IPCE测试 | 第64-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 硕士学位期间所发表的论文 | 第75-76页 |
| 作者和导师简介 | 第76-78页 |
| 附件 | 第78-79页 |
