| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1．1 引言 | 第9页 |
| 1．2 铁电薄膜发展概况 | 第9-11页 |
| 1．3 铁电薄膜的制备方法 | 第11-13页 |
| 1．4 铁电薄膜的性质及应用 | 第13-19页 |
| 1．4．1 铁电薄膜的铁电性 | 第13-15页 |
| 1．4．2 铁电薄膜的应用 | 第15-19页 |
| 1．5 本论文选题依据及主要研究内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 Sol-Gel法制备PLCT纳米陶瓷 | 第23-52页 |
| 2．1 Sol-Gel技术基本原理 | 第23-28页 |
| 2．1．1 Sol-Gel技术发展简史 | 第23-25页 |
| 2．1．2 Sol-Gel技术的现状及应用 | 第25-28页 |
| 2．2 钛酸铅钙镧（PLCT）系铁电材料 | 第28-31页 |
| 2．2．1 钙钛矿结构 | 第28-30页 |
| 2．2．2 钛酸铅镧钙系铁电材料的组成及应用 | 第30-31页 |
| 2．3 PLCT系列纳米微粉的制备 | 第31-40页 |
| 2．3．1 原料的选取 | 第31-32页 |
| 2．3．2 纳米微粉的制备工艺及主要技术参数 | 第32-34页 |
| 2．3．3 PLCT纳米粉体的性能分析 | 第34-40页 |
| 2．4 PLCT纳米陶瓷的制备及性能表征 | 第40-50页 |
| 2．4．1 PLCT纳米陶瓷的制备 | 第40-43页 |
| 2．4．2 PLCT纳米陶瓷的性能分析 | 第43-46页 |
| 2．4．3 PLCT纳米陶瓷的电学性能分析 | 第46-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 Sol-Gel法制备PLCT铁电薄膜 | 第52-83页 |
| 3．1 PLCT系薄膜材料的制备工艺研究 | 第52-58页 |
| 3．1．1 现有的PLCT系薄膜材料的制备工艺 | 第52-54页 |
| 3．1．2 Sol-Gel制备技术基本原理及影响因素 | 第54-56页 |
| 3．1．3 稳定溶胶的配制 | 第56-57页 |
| 3．1．4 基片及底电极材料选取原则 | 第57-58页 |
| 3．2 Sol-Gel制备PLCT（x）铁电薄膜 | 第58-60页 |
| 3．2．1 基片的准备 | 第58-59页 |
| 3．2．2 制备工艺及主要技术参数 | 第59-60页 |
| 3．3 薄膜的厚度测试 | 第60-66页 |
| 3．3．1 膜厚检测的基本原理 | 第60-61页 |
| 3．3．2 椭圆偏光解析法测定膜厚 | 第61-66页 |
| 3．4 PLCT薄膜的物理化学性能研究 | 第66-80页 |
| 3．4．1 PLCT薄膜的结晶性能研究 | 第66-70页 |
| 3．4．2 PLCT薄膜的表面形貌研究 | 第70-73页 |
| 3．4．3 PLCT薄膜的组分分布 | 第73-80页 |
| 3．4．4 PLCT薄膜的电滞回线 | 第80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第四章 结论及进一步工作的建议 | 第83-86页 |
| 4．1 主要结论 | 第83-85页 |
| 4．2 进一步工作的建议 | 第85-86页 |
| 附录 攻读硕士学位期间的主要论文 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87页 |