电沉积热氧化制备CuO/SnO2薄膜及其对CO和H2S的响应
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| ·有毒气体的危害 | 第9-10页 |
| ·传感器及参数要求 | 第10-15页 |
| ·概述 | 第10-11页 |
| ·传感器的分类 | 第11-12页 |
| ·传感器材料的制备方法 | 第12-14页 |
| ·技术参数和发展方向 | 第14-15页 |
| ·SnO_2气敏传感器及研究现状 | 第15-17页 |
| ·掺杂SnO_2传感器的研究现状 | 第17-18页 |
| ·CuO/SnO_2薄膜传感器的机理分析 | 第18-22页 |
| ·CuO掺杂对SnO_2薄膜气体传感器电阻的影响 | 第18-20页 |
| ·对CO气体的机理分析 | 第20-21页 |
| ·对H_2S气体的机理分析 | 第21-22页 |
| ·本课题研究的内容和意义 | 第22-23页 |
| 第2章 实验部分 | 第23-29页 |
| ·实验原料与器材 | 第23-24页 |
| ·实验试剂 | 第23页 |
| ·实验设备 | 第23-24页 |
| ·实验过程 | 第24-29页 |
| ·CuO-SnO_2薄膜的制备 | 第24页 |
| ·CuO-SnO_2薄膜的表征 | 第24-25页 |
| ·CO气体的制备 | 第25-26页 |
| ·H_2S气体的制备 | 第26-27页 |
| ·对CO与H_2S气敏性检测 | 第27页 |
| ·气体体积计算 | 第27-29页 |
| 第3章 结果与讨论 | 第29-51页 |
| ·电沉积过程影响Sn膜形态的因素 | 第29-32页 |
| ·电压对Sn膜形态的影响 | 第29-31页 |
| ·SnCl_2浓度对Sn膜形态的影响 | 第31页 |
| ·沉积时间对Sn膜形态厚度的影响 | 第31-32页 |
| ·影响Cu薄膜形态的因素 | 第32-34页 |
| ·电压对膜形态的影响 | 第32-34页 |
| ·CuCl_2浓度对膜形态的影响 | 第34页 |
| ·沉积时间对膜形态厚度的影响 | 第34页 |
| ·氧化对CuO-SnO_2薄膜性质的影响 | 第34-38页 |
| ·氧化温度的影响 | 第34-36页 |
| ·氧化时间的影响 | 第36-38页 |
| ·CuO-SnO_2对CO的响应及其影响因素 | 第38-44页 |
| ·温度 | 第39-41页 |
| ·浓度 | 第41-44页 |
| ·CuO-SnO_2对H_2S的响应及其影响因素 | 第44-51页 |
| ·温度 | 第44-46页 |
| ·浓度 | 第46-51页 |
| 第4章 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
