| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·半导体光催化反应原理 | 第11-12页 |
| ·TiO_2与CdS的结构和能带位置 | 第12-15页 |
| ·TiO_2与CdS的结构 | 第12-14页 |
| ·TiO_2与CdS的能带位置 | 第14-15页 |
| ·光催化研究现状 | 第15-18页 |
| ·使用不同的掺杂方法 | 第15-16页 |
| ·材料表面改性 | 第16页 |
| ·使用异质结形态的光催化剂 | 第16-17页 |
| ·使用染料敏化的可见光诱导方式 | 第17页 |
| ·外加电场对TiO_2多相光催化氧化的增强效应 | 第17-18页 |
| ·TiO_2薄膜和CdS薄膜的制备 | 第18-20页 |
| ·TiO_2薄膜的制备 | 第18-19页 |
| ·CdS薄膜的制备 | 第19-20页 |
| ·选题目的和意义 | 第20-21页 |
| 第2章 TiO_2薄膜制备与表征 | 第21-30页 |
| ·实验与测试 | 第21-22页 |
| ·试样制备 | 第21页 |
| ·物性分析测试 | 第21-22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-29页 |
| ·XRD分析 | 第22-23页 |
| ·Raman分析 | 第23-25页 |
| ·FE-SEM分析 | 第25页 |
| ·基片温度对TiO_2薄膜紫外-可见光谱透过率曲线的影响 | 第25-26页 |
| ·溅射时间对TiO_2薄膜紫外-可见光谱透过率曲线的影响 | 第26-27页 |
| ·溅射时间对TiO_2薄膜禁带宽度的影响 | 第27-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第3章 CdS薄膜制备与表征 | 第30-45页 |
| ·CBD法原理 | 第30-31页 |
| ·实验与测试 | 第31-34页 |
| ·试样制备 | 第31-33页 |
| ·物性分析测试 | 第33-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-44页 |
| ·沉积时间、温度和pH值对CdS薄膜紫外-可见光谱透过率的影响 | 第34-35页 |
| ·沉积时间对CdS薄膜禁带宽度的影响 | 第35-36页 |
| ·退火温度对CdS薄膜性能的分析 | 第36-39页 |
| ·不同Cd~(2+)/S~(2-)摩尔比制得的CdS薄膜的表征和分析 | 第39-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第4章 TiO_2-CdS薄膜光电诱导光催化研究 | 第45-57页 |
| ·实验 | 第45-46页 |
| ·实验装置 | 第45-46页 |
| ·光催化活性评价 | 第46-48页 |
| ·光催化性能测试与分析 | 第48-55页 |
| ·光催化与光电催化甲基橙溶液比较 | 第48-50页 |
| ·光电协同作用反向抽取电荷的光催化研究 | 第50-53页 |
| ·不同恒电流的电场作用下光电协同光催化研究 | 第53-54页 |
| ·不同恒电压的电场作用下光电协同的光催化研究 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第5章 光电协同作用对TiO_2和CdS薄膜的结构、光电和光催化性能的影响 | 第57-64页 |
| ·实验 | 第57页 |
| ·物性分析测试 | 第57-58页 |
| ·XRD侧试 | 第57页 |
| ·Raman测试 | 第57页 |
| ·场发射扫描电镜 | 第57-58页 |
| ·V-I曲线 | 第58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-63页 |
| ·TiO_2薄膜和CdS薄膜的XRD分析 | 第58-59页 |
| ·TiO_2薄膜和CdS薄膜的Raman分析 | 第59页 |
| ·TiO_2薄膜和CdS薄膜的FE-SEM分析 | 第59-61页 |
| ·TiO_2薄膜的V-I曲线 | 第61-62页 |
| ·TiO_2薄膜的光催化性能 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 发表文章目录 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
