| 内容提要 | 第1-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-49页 |
| ·纳米材料及纳米科技概述 | 第11-25页 |
| ·纳米材料与纳米科技的基本内涵 | 第11-13页 |
| ·纳米科技的发展历程 | 第13-15页 |
| ·纳米材料的基本物理特性 | 第15-18页 |
| ·低维纳米材料的制备方法简介 | 第18-22页 |
| ·低维纳米材料的应用 | 第22-24页 |
| ·低维纳米材料的研究现状和发展趋势 | 第24-25页 |
| ·半导体纳米材料概述 | 第25-32页 |
| ·半导体材料性质和应用简介 | 第25-28页 |
| ·体相半导体材料的性质和应用 | 第26页 |
| ·半导体纳米材料的性质 | 第26-28页 |
| ·硫属化合物半导体纳米材料的应用 | 第28-31页 |
| ·能量转换 | 第28-29页 |
| ·光电应用 | 第29-30页 |
| ·催化领域 | 第30页 |
| ·固体润滑剂和摩擦学 | 第30页 |
| ·储氢、储锂材料 | 第30-31页 |
| ·超导体 | 第31页 |
| ·硅半导体纳米材料的应用 | 第31-32页 |
| ·本论文所用的分析及表征手段 | 第32-38页 |
| ·X-射线衍射(XRD, X-ray diffraction)分析 | 第32-33页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第33-34页 |
| ·透射电子显微镜 | 第34-36页 |
| ·电感耦合等离子光谱分析(ICP, Inductively Coupled Plasma) | 第36-37页 |
| ·CHNS 元素分析 | 第37-38页 |
| ·本课题选题的目的、意义和主要研究成果 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-49页 |
| 第二章 垂直于平面基底生长的CuS纳米盘的合成 | 第49-67页 |
| ·引言 | 第49-52页 |
| ·CuS 纳米盘的合成 | 第52-54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-61页 |
| ·产物的物相分析 | 第54-55页 |
| ·产物的形貌分析 | 第55-58页 |
| ·铜膜厚度对所得样品的影响 | 第58-59页 |
| ·反应温度对所得样品的影响 | 第59-60页 |
| ·反应时间对所得样品的影响 | 第60页 |
| ·基底的类型对所得样品的影响 | 第60-61页 |
| ·生长机理的研究 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 第三章 两种具有不同结构的Cu_2Se 纳米线的合成及生长过程研究 | 第67-82页 |
| ·引言 | 第67-69页 |
| ·硒化亚铜纳米线的合成 | 第69-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-76页 |
| ·产物的形貌分析 | 第70-71页 |
| ·产物的物相分析 | 第71-74页 |
| ·Cu_2Se 纳米线生长过程研究 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 第四章 自我导向的单晶硅亚微米线阵列的合成及生长机理研究 | 第82-107页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·一维硅纳米线的研究现状 | 第83-88页 |
| ·气-液-固(VLS)生长硅纳米线 | 第84-87页 |
| ·氧化物辅助生长硅纳米线 | 第87页 |
| ·固-液-固(SLS)生长模型 | 第87-88页 |
| ·其它生长机理制备硅纳米线 | 第88页 |
| ·自我导向的单晶硅亚微米线阵列的合成 | 第88-90页 |
| ·结果与讨论 | 第90-99页 |
| ·产物的形貌分析 | 第90-92页 |
| ·产物的物相分析 | 第92-95页 |
| ·对比实验 | 第95-97页 |
| ·反应过程中不同阶段产物的表征和研究 | 第97-98页 |
| ·时间决定的硅线长度的实验研究 | 第98-99页 |
| ·生长机理的研究 | 第99-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-107页 |
| 发表的论文 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 中文摘要 | 第109-111页 |
| 英文摘要 | 第111-113页 |
