碳化硅超结肖特基势垒二极管的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 引言 | 第7-13页 |
| ·SiC材料及肖特基二极管的发展 | 第7-9页 |
| ·SiC材料的优势 | 第7-8页 |
| ·几种半导体材料的归一化品质因数 | 第8-9页 |
| ·碳化硅肖特基二极管的发展 | 第9页 |
| ·超结结构(SJ)的提出和国内外的发展 | 第9-11页 |
| ·SJ结构的提出 | 第9-10页 |
| ·SJ结构的发展 | 第10-11页 |
| ·SJ工艺技术的发展 | 第11页 |
| ·本文主要工作 | 第11-13页 |
| 2 SJ肖特基势垒二极管的结构解析 | 第13-23页 |
| ·肖特基势垒 | 第13-15页 |
| ·肖特基势垒高度 | 第13-14页 |
| ·肖特二极管伏安特性 | 第14页 |
| ·肖特基二极管伏安特性模型 | 第14-15页 |
| ·超结结构常见的原胞结构 | 第15-16页 |
| ·超结结构的工作机理 | 第16-17页 |
| ·正向导通电阻解析模型 | 第17-18页 |
| ·超结结构电势分布解析 | 第18-21页 |
| ·等柱宽超结电场分布解析 | 第21页 |
| ·等柱宽超结击穿电压解析 | 第21-23页 |
| 3 SJ肖特基势垒二极管的模拟 | 第23-43页 |
| ·模拟软件 | 第23-25页 |
| ·MEDICI模拟的基本方程 | 第23页 |
| ·求解步骤 | 第23-24页 |
| ·物理模型 | 第24-25页 |
| ·超结型肖特基势垒二极管的基本结构 | 第25-26页 |
| ·正向特性 | 第26-28页 |
| ·反向特性 | 第28-34页 |
| ·SJ肖特基二极管耗尽层展宽 | 第28-29页 |
| ·SJ和传统肖特基势垒二极管电场分布比较 | 第29-30页 |
| ·SJ肖特基势垒二极管击穿电场分析 | 第30-32页 |
| ·反向击穿电压半经验模型 | 第32-33页 |
| ·柱区浓度对击穿电压的影响 | 第33页 |
| ·柱区厚度对击穿电压的影响 | 第33-34页 |
| ·电荷非平衡的影响 | 第34-39页 |
| ·正向特性的影响 | 第34-35页 |
| ·反向特性的影响 | 第35-39页 |
| ·器件的品质因数 | 第39-40页 |
| ·优化后的IV特性 | 第40-41页 |
| ·提高SJ结构性能的措施的一点想法 | 第41-43页 |
| 4 SJ肖特基势垒二极管的工艺研究 | 第43-59页 |
| ·碳化硅中的杂质 | 第43页 |
| ·SiC外延技术 | 第43-44页 |
| ·模拟软件介绍 | 第44-45页 |
| ·SJ肖特基势垒二极管的工艺分析 | 第45页 |
| ·离子注入和外延相结合方法 | 第45-51页 |
| ·碳化硅离子注入基本原理 | 第45-46页 |
| ·离子分布与模拟方法 | 第46-47页 |
| ·注入条件设计 | 第47-50页 |
| ·退火 | 第50-51页 |
| ·退火掩膜的要求 | 第51页 |
| ·外延和刻蚀相结合方法 | 第51-53页 |
| ·碳化硅刻蚀技术 | 第51-52页 |
| ·工艺模拟 | 第52-53页 |
| ·刻槽和小角度离子注入相结合方法 | 第53-55页 |
| ·欧姆接触的形成 | 第55-59页 |
| 5 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 在读期间发表的论文 | 第67页 |
