| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章绪论 | 第10-18页 |
| 1.1课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2半导体光催化技术 | 第11-13页 |
| 1.2.1半导体光催化反应机理 | 第11-12页 |
| 1.2.2半导体光催化剂的改性 | 第12-13页 |
| 1.3石墨相氮化碳 | 第13-14页 |
| 1.3.1石墨相氮化碳的制备 | 第13页 |
| 1.3.2石墨相氮化碳的改性 | 第13-14页 |
| 1.4石墨相氮化碳复合材料 | 第14-18页 |
| 1.4.1与氧化石墨烯（GO）复合 | 第14-15页 |
| 1.4.2与碳纳米管（CNTs）复合 | 第15页 |
| 1.4.3与金属有机骨架（MOF）复合 | 第15-16页 |
| 1.4.4与金属氧化物复合 | 第16页 |
| 1.4.5与过渡金属硫化物复合 | 第16-18页 |
| 第2章实验部分 | 第18-22页 |
| 2.1实验材料 | 第18页 |
| 2.2实验设备 | 第18-19页 |
| 2.3样品制备 | 第19页 |
| 2.3.1g-C3N4样品的制备 | 第19页 |
| 2.3.2WSe2样品的制备 | 第19页 |
| 2.3.3WSe2/g-C3N4样品的制备 | 第19页 |
| 2.4光催化降解实验 | 第19-20页 |
| 2.4.1操作步骤 | 第19-20页 |
| 2.4.2脱色率计算公式 | 第20页 |
| 2.5催化剂稳定性测试 | 第20页 |
| 2.6样品表征及分析 | 第20-22页 |
| 2.6.1结构分析（XRD） | 第20页 |
| 2.6.2微观形貌分析 | 第20页 |
| 2.6.3元素分析（XPS） | 第20页 |
| 2.6.4光催化降解性能分析 | 第20-21页 |
| 2.6.5催化剂性质分析（UV–VisDRS） | 第21页 |
| 2.6.6总有机碳分析（TOC） | 第21-22页 |
| 第3章可见光下非贵金属WSe2/g-C3N4复合材料的光催化性能研究 | 第22-47页 |
| 3.1引言 | 第22-23页 |
| 3.2WSe2/g-C3N4复合材料表征分析 | 第23-28页 |
| 3.2.1X-射线衍射分析（XRD） | 第23-24页 |
| 3.2.2扫描电镜、高分辨透射电镜分析（SEM、HR-TEM） | 第24-26页 |
| 3.2.3X-射线光电子能谱分析（XPS） | 第26-27页 |
| 3.2.4催化剂的光学性能分析（UV–VisDRS） | 第27-28页 |
| 3.3光催化降解甲基橙染料脱色测试 | 第28-36页 |
| 3.3.1MO标准曲线 | 第29页 |
| 3.3.2暗反应吸附解析平衡 | 第29-30页 |
| 3.3.3复合型光催化剂的质量百分比对脱色率的影响 | 第30-32页 |
| 3.3.4催化剂的用量对脱色率的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.5MO溶液的初始浓度对脱色率的影响 | 第33页 |
| 3.3.6MO溶液的pH值不同对脱色率的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.7光照强度不同对脱色率的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.8MO溶液总有机碳分析 | 第35页 |
| 3.3.9催化剂的稳定性 | 第35-36页 |
| 3.4光催化降解罗丹明B染料脱色测试 | 第36-42页 |
| 3.4.1RhB标准曲线 | 第36-37页 |
| 3.4.2暗反应吸附解析平衡 | 第37页 |
| 3.4.3复合型光催化剂的质量百分比对脱色率的影响 | 第37-39页 |
| 3.4.4催化剂的用量对脱色率的影响 | 第39页 |
| 3.4.5RhB溶液的初始浓度对脱色率的影响 | 第39-40页 |
| 3.4.6RhB溶液的pH值不同对脱色率的影响 | 第40-41页 |
| 3.4.7光照强度不同对脱色率的影响 | 第41页 |
| 3.4.8催化剂的稳定性 | 第41-42页 |
| 3.5WSe2/g-C3N4复合材料光催化机理分析 | 第42-46页 |
| 3.5.1光催化降解MO反应机理 | 第42-45页 |
| 3.5.2光催化降解RhB反应机理 | 第45-46页 |
| 3.6本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-60页 |
| 作者简介 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第61页 |
