| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1绪论 | 第10-22页 |
| 1.1可见光催化技术研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2光催化氧化的原理 | 第11-12页 |
| 1.3钼酸铋光催化材料 | 第12-15页 |
| 1.3.1钼酸铋光催化材料概述 | 第12页 |
| 1.3.2钼酸铋光催化材料的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.4钒酸铋光催化材料 | 第15-20页 |
| 1.4.1钒酸铋光催化材料概述 | 第15-16页 |
| 1.4.2钒酸铋光催化材料的研究进展 | 第16-20页 |
| 1.5本文选题的依据、意义、研究内容及创新点 | 第20-22页 |
| 1.5.1选题的依据与意义 | 第20页 |
| 1.5.2研究内容及技术路线 | 第20-21页 |
| 1.5.3创新点 | 第21-22页 |
| 2实验部分 | 第22-30页 |
| 2.1实验试剂和实验仪器 | 第22-23页 |
| 2.1.1主要的实验试剂 | 第22页 |
| 2.1.2主要的实验仪器 | 第22-23页 |
| 2.2光催化剂的制备 | 第23-25页 |
| 2.2.1Ag2WO4/Bi2MoO6的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.2AgIO3/BiVO4-GO的制备 | 第24-25页 |
| 2.3光催化剂的表征 | 第25-26页 |
| 2.3.1X射线衍射 | 第25页 |
| 2.3.2X射线光电子能谱 | 第25页 |
| 2.3.3扫描电子显微镜 | 第25页 |
| 2.3.4透射电子显微镜 | 第25页 |
| 2.3.5比表面及孔隙度分析仪 | 第25-26页 |
| 2.3.6紫外-可见漫反射光谱 | 第26页 |
| 2.3.7光电化学分析 | 第26页 |
| 2.4光催化降解实验 | 第26-30页 |
| 2.4.1目标污染物 | 第26-28页 |
| 2.4.2实验装置 | 第28页 |
| 2.4.3评价方法 | 第28页 |
| 2.4.4实验方法 | 第28-29页 |
| 2.4.5动力学分析 | 第29页 |
| 2.4.6光催化剂稳定性评价方法 | 第29页 |
| 2.4.7降解机理分析 | 第29-30页 |
| 3Ag2WO4/Bi2MoO6的制备与催化性能的研究 | 第30-40页 |
| 3.1引言 | 第30-31页 |
| 3.2催化剂的制备 | 第31页 |
| 3.2.1Bi2MoO6的制备 | 第31页 |
| 3.2.2Ag2WO4/Bi2MoO6的制备 | 第31页 |
| 3.3催化剂的表征及结果分析 | 第31-36页 |
| 3.3.1XRD表征结果分析 | 第31-33页 |
| 3.3.2SEM表征结果分析 | 第33页 |
| 3.3.3BET表征结果分析 | 第33-34页 |
| 3.3.4UV-visDRS表征结果分析 | 第34-35页 |
| 3.3.5PL表征结果分析 | 第35-36页 |
| 3.3.6光电化学表征结果分析 | 第36页 |
| 3.4催化剂的光催化性能研究 | 第36-37页 |
| 3.5光催化机理研究 | 第37-39页 |
| 3.6本章小结 | 第39-40页 |
| 4AgIO3/BiVO4的制备与与催化性能的研究 | 第40-55页 |
| 4.1引言 | 第40-41页 |
| 4.2催化剂的制备 | 第41-42页 |
| 4.2.1BiVO4的制备 | 第41页 |
| 4.2.2AgIO3/BiVO4的制备 | 第41-42页 |
| 4.2.3AgIO3/BiVO4-GO的制备 | 第42页 |
| 4.3催化剂的表征及结果分析 | 第42-49页 |
| 4.3.1XRD表征结果分析 | 第42-43页 |
| 4.3.2XPS表征结果分析 | 第43-44页 |
| 4.3.3SEM和TEM表征结果分析 | 第44-47页 |
| 4.3.4UV-visDRS表征结果分析 | 第47页 |
| 4.3.5PL表征结果分析 | 第47-48页 |
| 4.3.6光电化学表征结果分析 | 第48-49页 |
| 4.4催化剂的光催化性能研究 | 第49-52页 |
| 4.4.1光催化活性评价 | 第49-50页 |
| 4.4.2不同初始浓度罗丹明B对光降解效率的影响的研究 | 第50-51页 |
| 4.4.3光催化剂稳定性的研究 | 第51-52页 |
| 4.5光催化降解机理的研究 | 第52-54页 |
| 4.6本章小结 | 第54-55页 |
| 5结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-65页 |
| 个人简历、在学期间发表学术论文与研究成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |