| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·空间环境简介 | 第10-13页 |
| ·行星际空间 | 第10-11页 |
| ·近地空间环境 | 第11-12页 |
| ·其他空间环境及特点 | 第12-13页 |
| ·空间粒子辐射效应简介 | 第13-14页 |
| ·电离效应 | 第14页 |
| ·位移效应 | 第14页 |
| ·太阳电池 | 第14-19页 |
| ·太阳电池工作的基本原理 | 第14-15页 |
| ·非晶硅薄膜太阳电池 | 第15-17页 |
| ·多(微)晶硅薄膜太阳电池 | 第17-18页 |
| ·铜铟硒薄膜和铜铟镓硒薄膜太阳电池 | 第18-19页 |
| ·碲化铬薄膜太阳电池 | 第19页 |
| ·非晶硅太阳电池空间粒子辐照研究进展 | 第19-21页 |
| ·本课题研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 试验材料及试验方法 | 第22-27页 |
| ·试验材料 | 第22页 |
| ·试验设备与方法 | 第22-27页 |
| ·试验设备 | 第22-24页 |
| ·辐照试验方案 | 第24-25页 |
| ·双结非晶硅太阳电池的电学性能测试 | 第25-26页 |
| ·光学反射率测试 | 第26页 |
| ·串联电阻测试 | 第26页 |
| ·电容测试 | 第26页 |
| ·电导测试 | 第26-27页 |
| 第3章 质子和电子辐照下双结薄膜电池性能演化 | 第27-40页 |
| ·质子辐照下双结非晶硅薄膜太阳电池电性能变化规律 | 第27-32页 |
| ·80keV 质子辐照电性能变化规律 | 第27-29页 |
| ·170keV 质子辐照双结非晶硅薄膜电池电性能变化规律 | 第29-32页 |
| ·170keV 电子辐照下双结非晶硅薄膜电池电性能变化规律 | 第32-35页 |
| ·质子和电子共同辐照双结非晶硅电池电性能变化规律 | 第35-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 质子和电子辐照电池衰退机理 | 第40-60页 |
| ·质子辐照后双结非晶硅薄膜电池性能衰退机理 | 第40-49页 |
| ·光学反射率的变化 | 第40-41页 |
| ·串联电阻的变化 | 第41-42页 |
| ·电容法测算非晶硅薄膜太阳电池空间电荷区宽度变化 | 第42-44页 |
| ·暗电导率的变化 | 第44-46页 |
| ·载流子浓度的变化 | 第46-47页 |
| ·质子辐照衰退损伤机理探讨 | 第47-49页 |
| ·电子辐照后双结非晶硅薄膜电池性能衰退机理 | 第49-54页 |
| ·光学反射率的变化 | 第49-50页 |
| ·串联电阻的变化 | 第50-51页 |
| ·电容法测算非晶硅薄膜太阳电池空间电荷区宽度变化 | 第51页 |
| ·暗电导率的变化 | 第51-52页 |
| ·载流子浓度的变化 | 第52-53页 |
| ·电子辐照损伤机理探讨 | 第53-54页 |
| ·质子和电子共同辐照双结非晶硅薄膜电池性能衰退机理 | 第54-57页 |
| ·光学反射率的变化 | 第54-55页 |
| ·串联电阻变化 | 第55页 |
| ·电容法测算非晶硅薄膜太阳电池空间电荷区宽度变化 | 第55-56页 |
| ·暗电导率的变化 | 第56-57页 |
| ·载流子浓度的变化的变化 | 第57页 |
| ·质子电子共同辐照损伤机理探讨 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
