| 论文创新点 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 引言 | 第14-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-51页 |
| 1.1 电阻变换效应及其阻变存储器的研究进展 | 第16-50页 |
| 1.1.1 阻变存储器 | 第16-17页 |
| 1.1.2 电阻变换效应的发展简史 | 第17-18页 |
| 1.1.3 电阻变换效应的分类 | 第18-19页 |
| 1.1.4 阻变存储器的材料体系 | 第19-20页 |
| 1.1.5 阻变存储器的性能参数 | 第20-21页 |
| 1.1.6 电阻变换效应的电输运特性机制分析 | 第21-23页 |
| 1.1.7 电阻变换效应的物理机制 | 第23-43页 |
| 1.1.8 物质磁性分类以及氧化物中电阻变换效应对磁性的影响 | 第43-48页 |
| 1.1.9 阻变存储器面临的挑战 | 第48-50页 |
| 1.2 本文研究内容 | 第50-51页 |
| 第二章 样品制备方法与表征技术 | 第51-56页 |
| 2.1 样品制备方法 | 第51-53页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积技术 | 第51-52页 |
| 2.1.2 磁控溅射技术 | 第52-53页 |
| 2.2 测试表征技术 | 第53-56页 |
| 2.2.1 结构与形貌表征技术 | 第53-54页 |
| 2.2.2 电性能测试 | 第54页 |
| 2.2.3 磁性能测试 | 第54-56页 |
| 第三章 铁磁性氧化物薄膜异质结电阻变换及其磁性调控 | 第56-76页 |
| 3.1 CuFe_2O_4薄膜异质结电阻变换及其磁性调控研究 | 第56-65页 |
| 3.1.1 样品制备与表征 | 第57-58页 |
| 3.1.2 结果分析与讨论 | 第58-65页 |
| 3.2 Fe_2O_3薄膜异质结电阻变换及其磁性调控研究 | 第65-74页 |
| 3.2.1 样品制备与表征 | 第65-66页 |
| 3.2.2 结果分析与讨论 | 第66-74页 |
| 3.3 本章小结 | 第74-76页 |
| 第四章 反铁磁性氧化物薄膜异质结电阻变换及其磁性调控 | 第76-90页 |
| 4.1 NiO薄膜异质结电阻变换与磁性调控研究 | 第76-83页 |
| 4.1.1 样品制备与表征 | 第77页 |
| 4.1.2 结果分析与讨论 | 第77-83页 |
| 4.2 BiFeO_3薄膜异质结电阻变换与磁性调控研究 | 第83-89页 |
| 4.2.1 样品制备与表征 | 第83-84页 |
| 4.2.2 结果分析与讨论 | 第84-89页 |
| 4.3 本章小结 | 第89-90页 |
| 第五章 顺磁性氧化物薄膜异质结电阻变换及其磁性调控 | 第90-116页 |
| 5.1 Mn_3O_4薄膜异质结电阻变换及其磁性调控研究 | 第90-101页 |
| 5.1.1 样品制备与表征 | 第91页 |
| 5.1.2 结果分析与讨论 | 第91-101页 |
| 5.2 Co_3O_4薄膜异质结电阻变换及其磁性调控研究 | 第101-114页 |
| 5.2.1 样品制备与表征 | 第102页 |
| 5.2.2 结果分析与讨论 | 第102-114页 |
| 5.3 本章小结 | 第114-116页 |
| 第六章 稀磁半导体Co：TiO_2薄膜电阻变换及其磁性调控研究 | 第116-125页 |
| 6.1 样品制备与表征 | 第117页 |
| 6.2 结果分析与讨论 | 第117-124页 |
| 6.3 本章小结 | 第124-125页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第125-128页 |
| 7.1 全文总结 | 第125-126页 |
| 7.2 展望 | 第126-128页 |
| 参考文献 | 第128-150页 |
| 攻读博士期间发表的论文目录 | 第150-152页 |
| 致谢 | 第152-153页 |
