摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4-5页 |
第1章 引言 | 第9-29页 |
1.1 碳纳米管概述 | 第9-11页 |
1.2 碳纳米管的生长 | 第11-16页 |
1.2.1 碳纳米管生长方法简述 | 第11-12页 |
1.2.2 碳纳米管的可控制备 | 第12-16页 |
1.3 碳纳米管的表征 | 第16-19页 |
1.4 碳纳米管手性选择的实现 | 第19-24页 |
1.4.1 选择性生长 | 第19-20页 |
1.4.2 选择性分离 | 第20-22页 |
1.4.3 选择性破坏 | 第22-24页 |
1.4.4 导电类型转变 | 第24页 |
1.5 碳纳米管的图形化 | 第24-27页 |
1.5.1 图形化生长 | 第24-25页 |
1.5.2 图形化加工 | 第25-27页 |
1.6 选题思路及论文主要内容 | 第27-29页 |
第2章 低密度单壁碳纳米管水平阵列的可控生长 | 第29-49页 |
2.1 石英基底上生长单壁碳纳米管水平阵列 | 第30-32页 |
2.1.1 管式炉化学气相沉积 | 第30-31页 |
2.1.2 常规生长流程和参数 | 第31-32页 |
2.2 基底挖槽法控制生长密度 | 第32-38页 |
2.2.1 基底表面性质对生长结果的影响 | 第32-34页 |
2.2.2 基底挖槽的实现方式 | 第34-35页 |
2.2.3 刻蚀时间对生长密度的影响 | 第35-38页 |
2.3 位于槽外的催化剂生长碳纳米管 | 第38-42页 |
2.3.1 不同槽深的跨槽生长 | 第38-40页 |
2.3.2 生长彼此隔离的全碳器件 | 第40-42页 |
2.4 改变气体比例控制生长密度 | 第42-45页 |
2.5 生长过程中引入水蒸气刻蚀控制生长密度 | 第45-47页 |
2.6 本章小结 | 第47-49页 |
第3章 扫描电子显微镜表征基底上的碳纳米管 | 第49-93页 |
3.1 扫描电子显微镜表征碳纳米管 | 第50-55页 |
3.1.1 扫描电子显微镜表征碳纳米管的研究进展 | 第50-55页 |
3.1.2 扫描电子显微镜表征仍需解决的问题 | 第55页 |
3.2 扫描电子显微镜的工作原理 | 第55-62页 |
3.2.1 扫描电子显微镜的结构 | 第55-56页 |
3.2.2 高能电子与样品的作用 | 第56-58页 |
3.2.3 扫描电子显微镜的参数及其意义 | 第58-62页 |
3.3 二次电子图像携带的信息 | 第62-64页 |
3.3.1 表面形貌信息 | 第62-63页 |
3.3.2 样品材料信息 | 第63页 |
3.3.3 表面电势分布信息 | 第63-64页 |
3.4 基底的荷电情况分析 | 第64-65页 |
3.4.1 高、低加速电压下的荷电特点 | 第64-65页 |
3.4.2 基底导电性对荷电的影响 | 第65页 |
3.5 导电基底上碳纳米管的二次电子图像 | 第65-70页 |
3.5.1 基底原子序数的影响 | 第66-68页 |
3.5.2 基底功函数的影响 | 第68-70页 |
3.6 绝缘基底上碳纳米管的二次电子图像 | 第70-78页 |
3.6.1 裸绝缘表面成像 | 第71-73页 |
3.6.2 低电压减速模式成像 | 第73-75页 |
3.6.3 金属薄膜辅助导电成像 | 第75-78页 |
3.7 带薄绝缘层的导电基底上碳纳米管的二次电子图像 | 第78-89页 |
3.7.1 高加速电压下的碳纳米管图像及表征 | 第79-80页 |
3.7.2 碳纳米管的高分辨成像原理的研究 | 第80-85页 |
3.7.3 碳纳米管高分辨成像的应用 | 第85-86页 |
3.7.4 半导体性碳纳米管耗尽区成像 | 第86-89页 |
3.8 本章小结 | 第89-93页 |
第4章 机械剥离图形化方法 | 第93-109页 |
4.1 机械剥离图形化方法的基本原理和工艺步骤 | 第93-95页 |
4.2 机械剥离图形化方法的加工效果 | 第95-103页 |
4.2.1 乳胶法的加工效果 | 第96-101页 |
4.2.2 摩擦法的加工效果 | 第101-103页 |
4.3 超声法图形化的研究 | 第103-105页 |
4.4 石墨烯机械剥离法图形化的研究 | 第105-106页 |
4.5 柔性基底上机械剥离图形化方法的研究 | 第106-108页 |
4.6 本章小结 | 第108-109页 |
第5章 总结与展望 | 第109-112页 |
参考文献 | 第112-127页 |
致谢 | 第127-129页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第129-130页 |