第一章 绪论 | 第1-31页 |
·晶体工程 | 第10-11页 |
·背景 | 第10-11页 |
·模块化学 | 第11页 |
·配位聚合物 | 第11-22页 |
·背景 | 第11-12页 |
·设计原则 | 第12-13页 |
·晶体工程中的超分子合成子 | 第13-15页 |
·配位聚合物的合成方法 | 第15页 |
·配位聚合物结构的影响因素 | 第15页 |
·配位聚合物的性质和应用 | 第15-22页 |
·本课题的选题目的、意义及主要结果 | 第22-24页 |
·本课题的选题目的和意义 | 第22-23页 |
·本课题研究的主要结果 | 第23-24页 |
·本课题所使用的表征方法 | 第24-26页 |
参考文献 | 第26-31页 |
第二章 弯折型含氮配体的卤化亚铜配位聚合物 | 第31-48页 |
·引言 | 第31-32页 |
·合成 | 第32-35页 |
·配体的合成 | 第32页 |
·化合物的合成 | 第32-35页 |
·X-射线单晶结构分析 | 第35-42页 |
·晶体结构的测定和晶体学数据 | 第35页 |
·结构描述 | 第35-42页 |
·结果与讨论 | 第42-45页 |
·结构的维度与无机建构块及有机配体 | 第42-44页 |
·荧光性质 | 第44-45页 |
·本章小结 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-48页 |
第三章 弯折型羧酸配体的过渡金属配位聚合物 | 第48-64页 |
·引言 | 第48-49页 |
·合成 | 第49-51页 |
·配体的合成 | 第49页 |
·化合物的合成 | 第49-51页 |
·X-射线单晶结构分析 | 第51-58页 |
·晶体结构的测定和晶体学数据 | 第51页 |
·结构描述 | 第51-58页 |
·结果与讨论 | 第58-61页 |
·配体和金属离子对配位聚合物结构的影响 | 第58-59页 |
·有机碱对配位聚合物结构的影响 | 第59-60页 |
·荧光性质 | 第60页 |
·磁学性质 | 第60-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-64页 |
第四章 弯折型配体在形成配位聚合物过程中的原位反应 | 第64-71页 |
·引言 | 第64-65页 |
·合成 | 第65页 |
·X-射线单晶结构分析 | 第65-68页 |
·晶体结构的测定和晶体学数据 | 第66页 |
·结构描述 | 第66-68页 |
·磁学性质 | 第68页 |
·本章小结 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-71页 |
第五章 2,2-二硝基-4,4-联苯二甲酸与1,3-双(4-吡啶)丙烷混合配体构筑的配位聚合物 | 第71-83页 |
·引言 | 第71-72页 |
·合成 | 第72-73页 |
·配体的合成 | 第72页 |
·化合物的合成 | 第72-73页 |
·X-射线单晶结构分析 | 第73-79页 |
·晶体结构的测定和晶体学数据 | 第73页 |
·结构描述 | 第73-79页 |
·结果与讨论 | 第79-81页 |
·结构的多样性与两种配体的配位模式 | 第79-80页 |
·金属离子对配位聚合物结构的影响 | 第80页 |
·磁学性质 | 第80-81页 |
·本章小结 | 第81-82页 |
参考文献 | 第82-83页 |
第六章 2,2-二硝基-4,4-联苯二甲酸与1,4-双咪唑丁烷混合配体构筑的配位聚合物 | 第83-95页 |
·引言 | 第83-84页 |
·合成 | 第84-85页 |
·X-射线单晶结构分析 | 第85-91页 |
·晶体结构的测定和晶体学数据 | 第85页 |
·结构描述 | 第85-91页 |
·结果与讨论 | 第91-93页 |
·结构的多样性与无机建构块和有机配体 | 第91-92页 |
·磁学性质 | 第92-93页 |
·本章小结 | 第93-94页 |
参考文献 | 第94-95页 |
第七章 2,2-二硝基-4,4-联苯二甲酸与1,5-双咪唑戊烷混合配体构筑的配位聚合物 | 第95-107页 |
·引言 | 第95-96页 |
·合成 | 第96-97页 |
·X-射线单晶结构分析 | 第97-103页 |
·晶体结构的测定和晶体学数据 | 第97页 |
·结构描述 | 第97-103页 |
·结果与讨论 | 第103-105页 |
·结构的多样性与无机建构块和有机配体 | 第103-104页 |
·含氮配体的长度和灵活度对配位聚合物结构的影响 | 第104页 |
·磁学性质 | 第104-105页 |
·本章小结 | 第105-106页 |
参考文献 | 第106-107页 |
第八章 结论 | 第107-110页 |
作者简历 | 第110-111页 |
攻读博士学位期间发表的论文 | 第111-112页 |
致谢 | 第112-113页 |
中文摘要 | 第113-116页 |
Abstract | 第116-119页 |