摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-26页 |
1. 分子印迹技术 | 第11页 |
2. 分子印迹技术的研究进展 | 第11-15页 |
2.1 分子印迹技术的起源 | 第11页 |
2.2 分子印迹技术的原理 | 第11-12页 |
2.3 分子印迹技术的类型 | 第12-13页 |
2.4 分子印迹聚合物的制备方法 | 第13-14页 |
2.5 分子印迹聚合物的应用 | 第14-15页 |
3. 分子印迹电化学传感器的概述 | 第15-19页 |
3.1 分子印迹电化学传感器的制备方法 | 第15-16页 |
3.2 分子印迹电化学传感器的原理及分类 | 第16-18页 |
3.3 分子印迹电化学传感器的应用 | 第18-19页 |
4. 单壁碳纳米管在分析检测中的应用概述 | 第19页 |
5. 论文的指导思想和主要内容 | 第19-21页 |
参考文献 | 第21-26页 |
第二章 还原性糖印迹聚邻苯二胺修饰玻碳电极的制备及应用 | 第26-46页 |
1 引言 | 第26页 |
2 实验部分 | 第26-30页 |
2.1 试剂 | 第26页 |
2.2 仪器 | 第26-27页 |
2.3 Imprinted MIP/GCE的制备 | 第27-30页 |
3. 结果与讨论 | 第30-41页 |
3.1 Imprinted MIP/GCE的表征 | 第30-33页 |
3.1.1 Imprinted MIP/GCE的表面形貌表征 | 第30页 |
3.1.2 Imprinted MIP-GCE的电化学表征 | 第30-33页 |
3.2 实验条件的优化 | 第33-36页 |
3.2.1 聚合过程中扫描圈数对印迹电极的影响 | 第33-34页 |
3.2.2 聚合过程中pH值对印迹电极的影响 | 第34页 |
3.2.3 培养时间对印迹电极的影响 | 第34-36页 |
3.3 伏安测定 | 第36-39页 |
3.4 Imprinted MIP/GCE的选择性、重现性和稳定性 | 第39-40页 |
3.5 实际样品检测 | 第40-41页 |
4. 结论 | 第41-42页 |
参考文献 | 第42-46页 |
第三章 电位型还原性糖印迹聚间羟基苯硼酸及苯酚修饰玻碳电极的制备及应用 | 第46-62页 |
1 引言 | 第46页 |
2 实验部分 | 第46-48页 |
2.1 试剂 | 第46-47页 |
2.2 仪器 | 第47页 |
2.3 修饰电极的制备 | 第47-48页 |
3. 结果与讨论 | 第48-58页 |
3.1 Imprinted MIP/GCE的电化学表征 | 第48-49页 |
3.2 Imprinted MIP/GCE对模板分子的电位响应 | 第49-50页 |
3.3 实验条件的优化 | 第50-51页 |
3.3.1 功能单体摩尔比对印迹电极的影响 | 第50页 |
3.3.2 pH值对印迹电极的影响 | 第50-51页 |
3.3.3 洗脱时间对印迹电极的影响 | 第51页 |
3.4 电位测定 | 第51-55页 |
3.5 Imprinted MIP/GCE的选择性、重现性和稳定性 | 第55-57页 |
3.6 实际样品检测 | 第57-58页 |
4. 结论 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-62页 |
第四章 Al~(3+)掺杂的分子印迹聚合物膜和碳纳米管修饰电极测定秋水仙碱 | 第62-73页 |
1 引言 | 第62-63页 |
2. 实验部分 | 第63-64页 |
2.1 试剂 | 第63页 |
2.2 仪器 | 第63页 |
2.3 印迹传感器的制备 | 第63-64页 |
3. 结果与讨论 | 第64-69页 |
3.1 秋水仙碱的电化学响应 | 第64-65页 |
3.2 PoPD/Al~(3+)/SWCNTs/GCE在洗脱前后的对COL的电化学响应 | 第65-66页 |
3.3 分子印迹聚合物的优化 | 第66-67页 |
3.3.1 A1~(3+)离子对印迹电极的影响及A1~(3+)量的优化 | 第66-67页 |
3.3.2 洗脱和培养时间的影响 | 第67页 |
3.4 线性范围与检出限 | 第67-68页 |
3.5 印迹传感器的重现性和抗干扰能力 | 第68-69页 |
4. 结论 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-73页 |
附录 | 第73-74页 |
致谢 | 第74页 |