| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 课题的研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 纳米材料简介 | 第9-11页 |
| 1.2.1 纳米材料的定义 | 第9-10页 |
| 1.2.2 纳米材料的发展 | 第10页 |
| 1.2.3 纳米材料的特殊优势 | 第10-11页 |
| 1.3 国内外对一维纳米材料特殊性能的研究进展 | 第11-13页 |
| 1.4 一维纳米纤维的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.5 静电纺丝技术介绍 | 第14-17页 |
| 1.5.1 静电纺丝技术的发展历程 | 第14-15页 |
| 1.5.2 静电纺丝技术原理 | 第15-16页 |
| 1.5.3 静电纺丝设备的发展 | 第16-17页 |
| 1.6 本课题的研究意义和研究内容 | 第17-20页 |
| 第2章 纳米纤维的制备和表征方法 | 第20-26页 |
| 2.1 无机纳米纤维的制备设备 | 第20-22页 |
| 2.2 无机纳米纤维的表征方法 | 第22-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪（XRD） | 第22-23页 |
| 2.2.2 荧光光谱仪（PL） | 第23页 |
| 2.2.3 共聚焦显微拉曼光谱仪（RTS） | 第23-24页 |
| 2.2.4 红外吸收光谱仪（FTIR Spectrometer） | 第24页 |
| 2.2.5 紫外可见分光光度计（UV-VIS Spectrophotometer） | 第24页 |
| 2.2.6 扫描电子显微镜（SEM） | 第24-26页 |
| 第3章 Ga_2O_3纳米纤维的制备与表征 | 第26-36页 |
| 3.1 实验过程 | 第26-28页 |
| 3.1.1 衬底的清洗与纺丝液的配置 | 第26-27页 |
| 3.1.2 静电纺丝法制备Ga_2O_3纳米纤维 | 第27-28页 |
| 3.2 纺丝液与纺丝电压的确定 | 第28-29页 |
| 3.3 不同退火温度下Ga_2O_3纳米纤维的表面形貌 | 第29页 |
| 3.4 Ga_2O_3纳米纤维的XRD分析 | 第29-30页 |
| 3.5 Ga_2O_3纳米纤维的光谱分析 | 第30-33页 |
| 3.5.1 Ga_2O_3纳米纤维的红外吸收光谱 | 第30-31页 |
| 3.5.2 Ga_2O_3纳米纤维的拉曼光谱 | 第31-32页 |
| 3.5.3 Ga_2O_3纳米纤维的荧光光谱 | 第32-33页 |
| 3.6 本章小结 | 第33-36页 |
| 第4章 Ga_2O_3纳米纤维的掺杂性质的研究 | 第36-42页 |
| 4.1 实验过程 | 第36-37页 |
| 4.1.1 前驱体溶液的配置 | 第36页 |
| 4.1.2 静电纺丝法制备纳米纤维 | 第36-37页 |
| 4.2 950℃退火纳米纤维的表面形貌 | 第37页 |
| 4.3 Ga_2O_3纳米纤维掺Cu的XRD分析 | 第37-38页 |
| 4.4 Ga_2O_3纳米纤维掺Cu的光谱分析 | 第38-40页 |
| 4.4.1 拉曼光谱 | 第38-39页 |
| 4.4.2 荧光光谱 | 第39-40页 |
| 4.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 结论 | 第42-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
