| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 稀磁半导体简介 | 第10-12页 |
| 1.3 d~0氧化物磁性半导体简介 | 第12-14页 |
| 第二章 二氧化钛薄膜制备与磁性研究综述 | 第14-24页 |
| 2.1 二氧化钛的基本性质 | 第14-15页 |
| 2.2 二氧化钛半导体薄膜的制备方法 | 第15-16页 |
| 2.2.1 溶胶凝胶法 | 第15页 |
| 2.2.2 磁控溅射制备技术 | 第15页 |
| 2.2.3 分子束外延制备技术 | 第15-16页 |
| 2.2.4 脉冲激光沉积制备技术 | 第16页 |
| 2.3 二氧化钛磁性半导体薄膜研究进展 | 第16-22页 |
| 2.3.1 磁性离子掺杂体系 | 第16-19页 |
| 2.3.2 非磁性离子掺杂体系 | 第19-21页 |
| 2.3.3 非掺杂体系 | 第21-22页 |
| 2.4 本课题研究意义及研究内容 | 第22-24页 |
| 第三章 薄膜的制备及表征方法 | 第24-35页 |
| 3.1 脉冲激光沉积(PLD) | 第24-26页 |
| 3.1.1 PLD原理 | 第24-26页 |
| 3.1.2 PLD特点 | 第26页 |
| 3.2 PLD薄膜生长系统简介 | 第26-27页 |
| 3.3 TiO_2薄膜的制备 | 第27-29页 |
| 3.4 薄膜的表征方法及测试 | 第29-35页 |
| 3.4.1 椭偏仪厚度测量 | 第29-30页 |
| 3.4.2 X射线衍射测试 | 第30-31页 |
| 3.4.3 X射线光电子谱测试 | 第31页 |
| 3.4.4 光致发光光谱 | 第31-32页 |
| 3.4.5 紫外-可见光谱测试 | 第32页 |
| 3.4.6 透射电镜 | 第32页 |
| 3.4.7 超导量子干涉仪 | 第32-33页 |
| 3.4.8 四探针电阻率测试仪 | 第33-35页 |
| 第四章 Ti02磁性半导体的制备与磁性研究 | 第35-44页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 薄膜的制备 | 第35页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第35-42页 |
| 4.5 本章讨论 | 第42-43页 |
| 4.6 本章小节 | 第43-44页 |
| 第五章 TiO_2磁性半导体非晶程度的调控与性能研究 | 第44-58页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 薄膜的制备 | 第44页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第44-56页 |
| 5.4 本章讨论 | 第56-57页 |
| 5.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 结论 | 第58页 |
| 6.2 展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 个人简历 | 第69-70页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文与取得的其他科研成果 | 第70页 |