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含微缺陷的SiC陶瓷单轴压缩力学性能及破坏机理研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-19页
    1.1 研究背景及意义第9-10页
    1.2 含缺陷脆性材料裂纹扩展的研究第10-14页
    1.3 含缺陷脆性材料力学性能的研究第14-15页
    1.4 含缺陷脆性材料数值仿真的研究第15-17页
        1.4.1 数值仿真方法第15-16页
        1.4.2 离散元法在陶瓷材料中的应用第16-17页
    1.5 课题来源及主要研究内容第17-19页
第2章 受压下含单条微裂纹缺陷的碳化硅陶瓷DEM模拟第19-38页
    2.1 引言第19页
    2.2 含单条微裂纹碳化硅陶瓷单轴压缩DEM模型第19-22页
        2.2.1 碳化硅陶瓷力学性能测定第19-20页
        2.2.2 碳化硅陶瓷DEM模型建立及校准第20页
        2.2.3 单条预制斜裂纹的建立第20-21页
        2.2.4 单轴压缩DEM模型第21-22页
    2.3 裂纹扩展分析第22-25页
    2.4 力学性能分析第25页
    2.5 预制裂纹周围场的演化分析第25-35页
        2.5.1 力链场分析第25-30页
        2.5.2 位移场分析第30-32页
        2.5.3 应力场分析第32-35页
    2.6 预制裂纹尺寸的影响第35-37页
    2.7 本章小结第37-38页
第3章 受压下含单个孔洞缺陷的碳化硅陶瓷DEM模拟第38-52页
    3.1 引言第38页
    3.2 含单个微孔洞缺陷的单轴压缩DEM模型第38-41页
        3.2.1 微孔洞缺陷建模第38-40页
        3.2.2 孔洞参数的确定第40-41页
    3.3 力学性能第41-48页
        3.3.1 不同纵横比的比较第41-44页
        3.3.2 不同孔洞形状的比较第44-48页
    3.4 孔洞尺寸影响第48-50页
    3.5 本章小结第50-52页
第4章 受压下含微裂纹系缺陷的碳化硅陶瓷DEM模拟第52-77页
    4.1 引言第52页
    4.2 两条平行的微裂纹第52-63页
        4.2.1 位置关系参数的确定及选取第52-53页
        4.2.2 不同裂纹倾角第53-61页
        4.2.3 不同岩桥长度第61-63页
    4.3 两条取向各异的微裂纹第63-66页
    4.4 多条随机分布裂纹系第66-75页
        4.4.1 裂纹密度函数第66-68页
        4.4.2 试样失效模式第68-70页
        4.4.3 力学性能影响第70-75页
    4.5 本章小结第75-77页
第5章 受压下含微孔洞系缺陷的碳化硅陶瓷DEM模拟第77-89页
    5.1 引言第77页
    5.2 两个平行孔洞第77-81页
        5.2.1 不同孔洞倾角第77-79页
        5.2.2 不同岩桥长度第79-81页
    5.3 两个取向各异的孔洞第81-83页
    5.4 多个随机分布的孔洞系第83-88页
        5.4.1 孔洞密度的定义第83-85页
        5.4.2 试样失效模式第85-86页
        5.4.3 力学性能影响第86-88页
    5.5 本章小结第88-89页
第6章 总结与展望第89-91页
    6.1 全文总结第89-90页
    6.2 研究展望第90-91页
参考文献第91-97页
致谢第97-98页
攻读硕士期间发表的学术论文与研究成果第98-99页

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