| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 单层二硫化钼概述 | 第15-23页 |
| 1.1.1 二硫化钼的结构和性质 | 第15-17页 |
| 1.1.2 二硫化钼的制备 | 第17-21页 |
| 1.1.3 二硫化钼的应用前景 | 第21-23页 |
| 1.2 单层二硫化钼的力学和电学性能研究现状 | 第23-24页 |
| 1.3 本文的研究目的和主要工作 | 第24-27页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第27-39页 |
| 2.1 第一性原理和密度泛函理论 | 第27-32页 |
| 2.1.1 绝热近似和Hartree-Fork近似 | 第27-29页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第29-30页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第30-31页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第31-32页 |
| 2.2 第一性原理计算方法和在材料上的应用 | 第32-36页 |
| 2.2.1 平面波基矢 | 第33页 |
| 2.2.2 赝势方法 | 第33-34页 |
| 2.2.3 投影缀加波方法 | 第34-35页 |
| 2.2.4 第一性原理方法在材料上的应用 | 第35-36页 |
| 2.3 VASP软件介绍 | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 单层二硫化钼力学性能的研究 | 第39-57页 |
| 3.1 计算方法和模型参数优化 | 第39-42页 |
| 3.1.1 计算方法 | 第39页 |
| 3.1.2 模型参数优化 | 第39-42页 |
| 3.2 拉伸条件下本征单层二硫化钼的力学性能计算 | 第42-44页 |
| 3.3 拉伸条件下空位缺陷对单层二硫化钼力学性能的影响 | 第44-54页 |
| 3.3.1 二硫化钼的主要缺陷类型 | 第44-46页 |
| 3.3.2 几何参数的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.3 弹性模量及理论强度的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.4 泊松比的影响 | 第49-54页 |
| 3.4 拉伸条件下空位缺陷浓度对单层二硫化钼力学性能的影响 | 第54-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 单层二硫化钼电学性能的研究 | 第57-71页 |
| 4.1 计算方法和正交模型修正 | 第57-58页 |
| 4.2 单层二硫化钼带隙调控的主要方法 | 第58-61页 |
| 4.2.1 空位缺陷和应变调控 | 第59-61页 |
| 4.2.2 外加电场调控 | 第61页 |
| 4.3 拉伸条件下空位缺陷对单层二硫化钼电学性能的影响 | 第61-69页 |
| 4.3.1 能带结构的影响 | 第61-65页 |
| 4.3.2 态密度的影响 | 第65-67页 |
| 4.3.3 有效质量的影响 | 第67-68页 |
| 4.3.4 电荷密度的影响 | 第68-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第71-72页 |
| 5.2 本文的不足及未来工作展望 | 第72-73页 |
| 5.2.1 本文存在的不足 | 第72页 |
| 5.2.2 工作展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-83页 |
