| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 多光子吸收过程 | 第8-10页 |
| 1.2 双光子吸收过程基本原理 | 第10-12页 |
| 1.3 光电导开关的国内外发展历程 | 第12-15页 |
| 1.4 PCCS的国内外进展与前景 | 第15-19页 |
| 1.5 论文主要研究内容 | 第19页 |
| 1.6 本章小结 | 第19-20页 |
| 2 GaAs PCSS的基本结构与工作模式 | 第20-28页 |
| 2.1 半绝缘GaAs材料的性质 | 第20-22页 |
| 2.1.1 GaAs的物理化学性质 | 第20页 |
| 2.1.2 GaAs的能带结构 | 第20-21页 |
| 2.1.3 GaAs材料的半导体性质 | 第21-22页 |
| 2.2 PCSS的结构及种类 | 第22-23页 |
| 2.3 光电导开关的工作模式 | 第23-26页 |
| 2.3.1 线性工作模式 | 第23-25页 |
| 2.3.2 高倍增工作模式 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 3 触发条件对半绝缘GaAsPCSS光吸收机制影响 | 第28-44页 |
| 3.1 光吸收机制简介 | 第28-30页 |
| 3.1.1 本征吸收 | 第28-29页 |
| 3.1.2 F-K效应 | 第29页 |
| 3.1.3 双光子吸收 | 第29-30页 |
| 3.2 光激发载流子实验测试装置 | 第30-31页 |
| 3.2.1 开关结构 | 第30-31页 |
| 3.3 毫焦光脉冲触发实验结果 | 第31-33页 |
| 3.3.1 偏置电压对光激发载流子的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.2 高倍增模式下雪崩载流子数计算 | 第32-33页 |
| 3.4 微焦量级光脉冲触发实验结果 | 第33-37页 |
| 3.5 实验结果分析 | 第37-43页 |
| 3.5.1 杂质吸收机制 | 第37-39页 |
| 3.5.2 双光子吸收机制 | 第39-41页 |
| 3.5.3 三光子吸收 | 第41-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 高倍增光电导开关雪崩机理分析 | 第44-50页 |
| 4.1 高倍增工作模式的几种基本模型 | 第44-45页 |
| 4.1.1 高密度碰撞电离理论 | 第44页 |
| 4.1.2 光激发电荷畴理论模型 | 第44页 |
| 4.1.3 双载流子注入模型 | 第44页 |
| 4.1.4 流注模型 | 第44-45页 |
| 4.2 高倍增模式光电阈值特性 | 第45-46页 |
| 4.3 雪崩机理研究 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 5 结论与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 结论 | 第50页 |
| 5.2 展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |