| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-34页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 太阳能电池的分类 | 第12-14页 |
| 1.3 CuInS_2基薄膜太阳能电池的概述 | 第14-16页 |
| 1.3.1 CuInS_2材料的晶格结构和基本性质 | 第14-16页 |
| 1.3.2 CuInS_2薄膜太阳能电池 | 第16页 |
| 1.4 CuInS_2薄膜太阳能电池的发展历史及研究的现状 | 第16-18页 |
| 1.5 CuInS_2薄膜的制备方法 | 第18-22页 |
| 1.5.1 蒸发法 | 第18-19页 |
| 1.5.2 溅射法 | 第19页 |
| 1.5.3 连续离子层吸附反应法 | 第19页 |
| 1.5.4 喷雾热解法 | 第19-20页 |
| 1.5.5 化学水浴法 | 第20页 |
| 1.5.6 电化学沉积法 | 第20-22页 |
| 1.6 影响脉冲电沉积CuInS_2薄膜的实验条件 | 第22-26页 |
| 1.6.1 沉积电位 | 第22-23页 |
| 1.6.2 沉积电流 | 第23页 |
| 1.6.3 脉冲频率 | 第23页 |
| 1.6.4 占空比 | 第23-24页 |
| 1.6.5 离子浓度 | 第24-25页 |
| 1.6.6 络合剂 | 第25页 |
| 1.6.7 PH值 | 第25页 |
| 1.6.8 析氢 | 第25页 |
| 1.6.9 基底材料 | 第25-26页 |
| 1.7 目前存在的主要问题 | 第26页 |
| 1.8 选题依据和研究内容 | 第26-28页 |
| 1.8.1 选题依据 | 第26页 |
| 1.8.2 主要内容 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-34页 |
| 第二章 脉冲恒电流模式电沉积法制备Cu层薄膜 | 第34-50页 |
| 2.1 引言 | 第34-35页 |
| 2.2 实验部分 | 第35-39页 |
| 2.2.1 仪器与试剂 | 第35-36页 |
| 2.2.2 基片处理 | 第36页 |
| 2.2.3 实验过程 | 第36-39页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第39-47页 |
| 2.3.1 两电极工作距离对Cu层薄膜的影响 | 第39-40页 |
| 2.3.2 电流大小和频率的高低对Cu层薄膜的影响 | 第40-42页 |
| 2.3.3 占空比大小对Cu层薄膜的影响 | 第42-43页 |
| 2.3.4 柠檬酸浓度对Cu层薄膜的影响 | 第43-44页 |
| 2.3.5 沉积电源的不同沉积模式对Cu层薄膜的影响 | 第44-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 脉冲电沉积Cu/In叠层制备Cu-In合金薄膜 | 第50-61页 |
| 3.1 前言 | 第50-51页 |
| 3.2 实验部分 | 第51-53页 |
| 3.2.1 仪器与试剂 | 第51页 |
| 3.2.2 基片处理 | 第51-52页 |
| 3.2.3 实验过程 | 第52-53页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第53-58页 |
| 3.3.1 沉积电流大小对In层薄膜的影响 | 第53-54页 |
| 3.3.2 热处理对Cu-In合金薄膜的影响 | 第54-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第四章 CuInS_2薄膜的制备及其光电特性研究 | 第61-75页 |
| 4.1 前言 | 第61-62页 |
| 4.2 实验部分 | 第62-64页 |
| 4.2.1 仪器与试剂 | 第62-63页 |
| 4.2.2 基片处理 | 第63页 |
| 4.2.3 实验过程 | 第63-64页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第64-72页 |
| 4.3.1 硫化温度处理对CIS薄膜的形貌影响 | 第64-66页 |
| 4.3.2 硫化温度处理对CIS薄膜的结构性能的影响 | 第66-68页 |
| 4.3.3 600℃ 60 min硫化处理的CIS薄膜的光学性能 | 第68-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 总结 | 第75-76页 |
| 硕士期间发表和已完成的论文与工作 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
