| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 相场方法和相场位错模型 | 第11-13页 |
| 1.1.1 相场方法 | 第11-12页 |
| 1.1.2 相场位错模型 | 第12-13页 |
| 1.2 相场位错模型的应用 | 第13-17页 |
| 1.2.1 钛酸锶/硅界面（STO/Si界面）失配位错网络问题 | 第13-14页 |
| 1.2.2 纳米多层膜中的位错穿越界面问题 | 第14-17页 |
| 1.3 相场位错模型算法的加速 | 第17页 |
| 1.4 本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 基于相场微弹性理论的相场位错模型 | 第18-33页 |
| 2.1 相场位错方法 | 第18-19页 |
| 2.2 相场位错模型的算法 | 第19-27页 |
| 2.2.1 位错体系自由能的相场描述和场量演化的控制方程 | 第19-20页 |
| 2.2.2 相场位错模型的场量与应变关系 | 第20-21页 |
| 2.2.3 基于相场微弹性理论的系统弹性能变分计算 | 第21-24页 |
| 2.2.4 基于第一性原理和数值拟合的层错能变分 | 第24-26页 |
| 2.2.5 基于梯度热力学的梯度能变分 | 第26-27页 |
| 2.3 相场位错模型研究位错分解问题 | 第27-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 STO/SI界面失配位错网络的相场模型 | 第33-42页 |
| 3.1 失配位错网络的相场模型 | 第33-35页 |
| 3.2 失配位错相场模型的计算结果 | 第35-37页 |
| 3.2.1 位错类型判断 | 第35页 |
| 3.2.2 薄膜厚度和位错间距的关系 | 第35-37页 |
| 3.2.3 γ -曲线对位错核心/位错网络节点的影响 | 第37页 |
| 3.3 失配位错相场模型的结果讨论 | 第37-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 纳米多层膜中位错穿越界面的相场模型 | 第42-49页 |
| 4.1 相场位错模型研究位错动力学问题 | 第42页 |
| 4.2 直位错穿越界面的相场模拟 | 第42-43页 |
| 4.3 位错通过热激活穿越界面的NEB计算 | 第43-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 相场位错模型的计算加速 | 第49-62页 |
| 5.1 非均匀计算网格的实现 | 第49-52页 |
| 5.1.1 均匀介质的动网格法 | 第49-51页 |
| 5.1.2 非均匀介质的动网格法 | 第51-52页 |
| 5.2 模型算法多核CPU和众核GPU并行的实现 | 第52-61页 |
| 5.2.1 并行计算概述 | 第52-53页 |
| 5.2.2 相场位错模型的并行改写 | 第53-60页 |
| 5.2.3 算法并行加速结果分析 | 第60-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 6.1 主要工作与创新点 | 第62-63页 |
| 6.1.1 相场位错模型模拟位错穿越相界面过程 | 第62页 |
| 6.1.2 相场位错模型模拟STO/Si界面失配位错网络 | 第62页 |
| 6.1.3 相场位错模型的算法加速 | 第62-63页 |
| 6.2 后续研究工作 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第70-72页 |
