| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 前言 | 第8页 |
| 1.2 一维纳米材料的研究现状及制备方法 | 第8-13页 |
| 1.2.1 气相法 | 第10-12页 |
| 1.2.2 液相法 | 第12页 |
| 1.2.3 模板法 | 第12-13页 |
| 1.3 新型非易失存储器简介 | 第13-16页 |
| 1.3.1 电阻式存储器(RRAM) | 第13-14页 |
| 1.3.2 铁电存储器(FRAM) | 第14-15页 |
| 1.3.3 相变存储器(PCRAM) | 第15-16页 |
| 1.3.4 磁存储器(MRAM) | 第16页 |
| 1.4 电阻开关效应简介 | 第16-20页 |
| 1.4.1 电阻开关效应的分类 | 第17-18页 |
| 1.4.2 电阻开关效应的形成机制 | 第18-20页 |
| 1.5 压阻效应的研究与应用 | 第20页 |
| 1.6 一维GeSe_2纳米材料的研究进展 | 第20-21页 |
| 1.7 本论文主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 GeSe_2:Bi纳米带的制备及其电输运性能研究 | 第22-33页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 实验过程 | 第23-25页 |
| 2.2.1 实验原料、试剂和仪器 | 第23页 |
| 2.2.2 实验流程 | 第23页 |
| 2.2.3 前驱体的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.4 样品的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.5 样品的表征及性能测试 | 第25页 |
| 2.3 实验结果与分析 | 第25-29页 |
| 2.3.1 样品的XRD与SEM分析 | 第25-26页 |
| 2.3.2 样品的TEM与XPS分析 | 第26-29页 |
| 2.4 器件的制备 | 第29-30页 |
| 2.5 样品的电输运性能测试及分析 | 第30-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 GeSe_2:Bi纳米带电阻开关效应的研究 | 第33-45页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验过程 | 第33-34页 |
| 3.2.1 实验原料、试剂和仪器 | 第33页 |
| 3.2.2 器件的制备 | 第33-34页 |
| 3.3 样品的阻变存储性能的测试及研究 | 第34-43页 |
| 3.3.1 I-V特性曲线的测量及分析 | 第34-37页 |
| 3.3.2 读写测试及分析 | 第37-41页 |
| 3.3.3 机理分析 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 GeSe_2:Bi纳米带压阻效应的探究 | 第45-54页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 实验过程 | 第45-46页 |
| 4.2.1 实验原料、试剂和仪器 | 第45页 |
| 4.2.2 器件的制备 | 第45-46页 |
| 4.3 样品的应变测试及分析 | 第46-50页 |
| 4.3.1 样品的静态应变测试及分析 | 第46-47页 |
| 4.3.2 样品的动态应变测试及分析 | 第47-50页 |
| 4.4 器件应变写入存储实验分析 | 第50-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 攻读学位期间研究成果 | 第64页 |