| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题的研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 FBAR振荡器同其他振荡器的比较 | 第11-12页 |
| 1.3 FBAR振荡器的发展历史和研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3.1 薄膜体声波谐振器的历史起源和发展 | 第12-13页 |
| 1.3.2 薄膜体声波谐振器的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.3 FBAR振荡器的研究现状 | 第15页 |
| 1.4 本文的主要结构 | 第15-17页 |
| 第二章 振荡器的理论介绍和模型介绍 | 第17-40页 |
| 2.1 振荡器的基本原理 | 第17-19页 |
| 2.1.1 反馈式振荡器的工作原理 | 第17-19页 |
| 2.1.2 负阻振荡器的工作原理 | 第19页 |
| 2.2 振荡器的基本模型 | 第19-24页 |
| 2.2.1 三点式振荡器 | 第19-23页 |
| 2.2.2 交叉耦合结构振荡器 | 第23-24页 |
| 2.3 FBAR谐振器的建模 | 第24-39页 |
| 2.3.1 薄膜体声波谐振器的理论基础及工作原理 | 第24-29页 |
| 2.3.2 薄膜体声波谐振器的主要性能参数 | 第29-31页 |
| 2.3.3 薄膜体声波谐振器的常见结构及模型介绍 | 第31-37页 |
| 2.3.4 薄膜体声波谐振器MBVD模型参数的提取 | 第37-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 高Q值FBAR谐振器的研究与实现 | 第40-58页 |
| 3.1 材料的选择 | 第40-43页 |
| 3.1.1 基底材料的选择 | 第41页 |
| 3.1.2 牺牲层材料的选择 | 第41页 |
| 3.1.3 支撑层材料的选择 | 第41-42页 |
| 3.1.4 电极材料的选择 | 第42页 |
| 3.1.5 压电层材料的选择 | 第42-43页 |
| 3.2 制备薄膜的要求 | 第43-46页 |
| 3.2.1 薄膜粗糙度 | 第43页 |
| 3.2.2 薄膜均匀性 | 第43-44页 |
| 3.2.3 薄膜应力 | 第44-45页 |
| 3.2.4 薄膜取向性 | 第45页 |
| 3.2.5 薄膜共形性 | 第45-46页 |
| 3.3 高Q值FBAR谐振器的制备 | 第46-57页 |
| 3.3.1 FBAR谐振器的模型仿真 | 第47-48页 |
| 3.3.2 制备FBAR谐振器步骤的简单介绍 | 第48-51页 |
| 3.3.3 牺牲层缓坡微结构的制备 | 第51-55页 |
| 3.3.4 器件结构制备与性能测试 | 第55-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 FBAR振荡器的相位噪声分析及设计仿真 | 第58-73页 |
| 4.1 振荡器相位噪声模型分析 | 第58-61页 |
| 4.2 振荡器中放大电路的噪声分析 | 第61-63页 |
| 4.2.1 晶体管的噪声来源 | 第61-63页 |
| 4.2.2 减小晶体管噪声的方法 | 第63页 |
| 4.3 振荡器相位噪声和有载品质因数的关系 | 第63-65页 |
| 4.3.1 品质因数的定义 | 第63页 |
| 4.3.2 有载品质因数对相噪的影响 | 第63-65页 |
| 4.4 低相噪FBAR振荡器的设计与仿真 | 第65-72页 |
| 4.4.1 FBAR谐振器的阻抗特性 | 第65-66页 |
| 4.4.2 薄膜体声波谐振器的MBVD模型的ADS库 | 第66-67页 |
| 4.4.3 振荡器偏置电路的设计 | 第67-68页 |
| 4.4.4 FBAR振荡器电路仿真 | 第68-69页 |
| 4.4.5 FBAR振荡器电路仿真结果分析 | 第69-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 全文总结 | 第73页 |
| 5.2 展望 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第81页 |