| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 音频功放发展历史 | 第10-11页 |
| 1.2 课题研究背景 | 第11-13页 |
| 1.3 课题研究意义 | 第13-14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 器件二次击穿机理与本文研究方向 | 第15-27页 |
| 2.1 二次击穿的探讨 | 第15-19页 |
| 2.1.1 二次击穿现象 | 第15-16页 |
| 2.1.2 二次击穿的机理 | 第16-19页 |
| 2.2 影响二次击穿的因素 | 第19-21页 |
| 2.2.1 制造工艺与二次击穿的关系 | 第19页 |
| 2.2.2 静态和动态参数与二次击穿的关系 | 第19-20页 |
| 2.2.3 环境温度和二次击穿的关系 | 第20-21页 |
| 2.2.4 应用线路与二次击穿的关系 | 第21页 |
| 2.3 二次击穿的测试原理 | 第21-23页 |
| 2.4 本文的研究方向 | 第23-26页 |
| 2.4.1 采用发射极镇流电阻 | 第24页 |
| 2.4.2 采用基区挖槽工艺 | 第24-25页 |
| 2.4.3 本文的研究：采用基极挤压电阻 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 高功率音频放大对管的设计 | 第27-37页 |
| 3.1 器件的设计内容 | 第27页 |
| 3.2 器件的物理参数设计 | 第27-33页 |
| 3.2.1 各区掺杂浓度及相关参数的计算 | 第27-29页 |
| 3.2.2 基区宽度WB | 第29-32页 |
| 3.2.3 集电区宽度WC和发射区宽度WE | 第32-33页 |
| 3.2.4 芯片材料的选择 | 第33页 |
| 3.3 器件的元胞结构设计 | 第33-34页 |
| 3.4 器件的工艺设计 | 第34-36页 |
| 3.4.1 工艺流程设计 | 第34-35页 |
| 3.4.2 关键工艺步骤分析 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 仿真软件简介 | 第37-42页 |
| 4.1 模拟半导体器件软件的介绍 | 第37页 |
| 4.2 仿真模拟软件TSUPREM4的简介 | 第37-39页 |
| 4.3 MEDICI器件仿真模拟软件简介 | 第39-41页 |
| 4.3.1 Medici器件模拟基本方程 | 第39-40页 |
| 4.3.2 Medici中器件物理模型的选取 | 第40页 |
| 4.3.3 Medici器件网格离散化 | 第40-41页 |
| 4.4 软件设计器件流程 | 第41页 |
| 4.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 功率放大对管的仿真优化设计 | 第42-69页 |
| 5.1 功率放大对管工艺参数模拟实现 | 第42-50页 |
| 5.2 功率放大对管工艺参数的电学特性仿真分析 | 第50-59页 |
| 5.2.1 基区注入剂量对器件参数的影响 | 第50-53页 |
| 5.2.2 基区扩散时间对器件参数的影响 | 第53-55页 |
| 5.2.3 发射区注入剂量和扩散时间对器件参数的影响 | 第55-57页 |
| 5.2.4 外延电阻率对器件参数的影响 | 第57-59页 |
| 5.3 功率放大对管元胞结构的电学特性仿真分析 | 第59-65页 |
| 5.3.1 发射区面积对器件参数的影响 | 第59-61页 |
| 5.3.2 基极挤压电阻宽度对器件参数的影响 | 第61-63页 |
| 5.3.3 基区面积对器件参数的影响 | 第63-65页 |
| 5.4 元胞工艺参数的确定 | 第65-66页 |
| 5.5 器件的版图设计 | 第66-68页 |
| 5.6 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 流片测试与结果分析 | 第69-77页 |
| 6.1 流片测试 | 第69-75页 |
| 6.1.1 静态参数测试 | 第69-74页 |
| 6.1.2 二次击穿电流测试 | 第74-75页 |
| 6.2 后面流片的建议 | 第75页 |
| 6.3 本章小结 | 第75-77页 |
| 第七章 结论 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第81-82页 |
| 附录 利用TSUPREM4 软件仿真器件程序 | 第82-88页 |