| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 TiAl 基合金概述 | 第10-13页 |
| 1.2 TiAl 基合金高温氧化问题 | 第13-16页 |
| 1.2.1 TiAl 基合金的氧化行为 | 第13-15页 |
| 1.2.2 TiAl 基合金氧化膜结构 | 第15-16页 |
| 1.2.3 表面效应 | 第16页 |
| 1.3 TiAl 基合金抗氧化措施 | 第16-19页 |
| 1.3.1 添加合金元素 | 第17页 |
| 1.3.2 表面改性 | 第17-19页 |
| 1.4 氧化理论计算的研究 | 第19-22页 |
| 1.5 研究内容和意义 | 第22-23页 |
| 第2章 第一性原理计算方法介绍 | 第23-27页 |
| 2.1 概述 | 第23页 |
| 2.2 密度泛函理论(DFT)简介 | 第23-25页 |
| 2.2.1 Honhenberg-Kohn 定理 | 第24页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham 方程 | 第24页 |
| 2.2.3 交换关联能泛函 | 第24-25页 |
| 2.3 NEB(Nudged Elastic Band)方法简介 | 第25-27页 |
| 第3章 O 在γ-TiAl 表面的吸附 | 第27-38页 |
| 3.1 前言 | 第27-28页 |
| 3.2 γ-TiAl 表面计算研究 | 第28-31页 |
| 3.2.1 表面模型 | 第28页 |
| 3.2.2 计算结果及分析 | 第28-31页 |
| 3.3 O 在γ-TiAl(111)表面的吸附 | 第31-35页 |
| 3.3.1 吸附模型 | 第31页 |
| 3.3.2 计算结果及分析 | 第31-35页 |
| 3.4 O 在 Al 终端(110)表面的吸附 | 第35-37页 |
| 3.4.1 吸附模型 | 第35页 |
| 3.4.2 计算结果及分析 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 O 在γ-TiAl 表面的扩散 | 第38-53页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 O 在γ-TiAl(111)表面的扩散 | 第38-41页 |
| 4.2.1 模型的建立 | 第38-39页 |
| 4.2.2 计算结果及分析 | 第39-41页 |
| 4.3 O 在 Al 终端(110)表面层内的扩散 | 第41-45页 |
| 4.3.1 模型的建立 | 第41页 |
| 4.3.2 计算结果及分析 | 第41-45页 |
| 4.4 O 的体相扩散 | 第45-48页 |
| 4.4.1 扩散模型 | 第45页 |
| 4.4.2 计算结果及分析 | 第45-48页 |
| 4.5 O 在 Al 终端(110)表面层间的扩散 | 第48-52页 |
| 4.5.1 扩散模型 | 第48页 |
| 4.5.2 计算结果及分析 | 第48-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 O 在 TiAl(110)/TiO_2(110)界面的扩散 | 第53-69页 |
| 5.1 引言 | 第53-54页 |
| 5.2 TiAl(110)/TiO_2(110)界面计算研究 | 第54-57页 |
| 5.2.1 界面模型建立 | 第54-55页 |
| 5.2.2 计算结果及分析 | 第55-57页 |
| 5.3 含缺陷的 TiAl(110)/TiO_2(110)界面计算研究 | 第57-60页 |
| 5.3.1 含缺陷的界面模型 | 第57-58页 |
| 5.3.2 计算结果及分析 | 第58-60页 |
| 5.4 O 在含 O 空位(TiO_2侧)-间隙(TiAl 侧)复合缺陷界面的扩散 | 第60-63页 |
| 5.4.1 扩散模型 | 第60-61页 |
| 5.4.2 计算结果及分析 | 第61-63页 |
| 5.5 富 O 的 TiAl(110)/TiO_2(110)界面计算研究 | 第63-65页 |
| 5.5.1 富 O 的界面模型 | 第63页 |
| 5.5.2 计算结果及分析 | 第63-65页 |
| 5.6 O 在富 O 界面的扩散 | 第65-68页 |
| 5.6.1 扩散模型 | 第65-66页 |
| 5.6.2 计算结果及分析 | 第66-68页 |
| 5.7 本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
