| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·基于半导体技术的非易失性存储器 | 第11-16页 |
| ·磁存储器 (Magnetic memory) | 第16-17页 |
| ·磁致电阻存储器(MagnetoresistiveRAM，简称 MRAM) | 第17-18页 |
| ·铁电存储器(Ferroelectaic RAM,简称 FRAM) | 第18-19页 |
| ·阻变存储器(Resistive Switching Radom Access Memory，RRAM ) | 第19-22页 |
| ·本论文的研究意义和内容 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第二章 实验仪器与测试方法 | 第26-34页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·实验主要表征仪器 | 第26-28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜（Atomic Force Microscope，AFM） | 第27-28页 |
| ·薄膜制备仪器 | 第28-30页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)系统 | 第28-29页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第29-30页 |
| ·阻变存储器的电学性能测试系统 | 第30-32页 |
| ·Keithley2400 性能参数 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 Au/STO/Pt 三明治结构电阻开关性质研究 | 第34-46页 |
| ·前言 | 第34页 |
| ·实验过程 | 第34-39页 |
| ·薄膜的制备 | 第34-39页 |
| ·双极性电阻开关实现数据存储 | 第39-41页 |
| ·电阻开关进行逻辑值定义 | 第39-41页 |
| ·双极性电阻开关实现的存储器 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第四章 Nb:STO 薄膜电阻开关性质研究 | 第46-58页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·实验过程 | 第46-47页 |
| ·Nb:STO 靶材的制备 | 第46页 |
| ·Nb:STO 薄膜的制备 | 第46-47页 |
| ·Nb:STO 薄膜电学性质的表征 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-55页 |
| ·样品的 XRD 测试 | 第47-48页 |
| ·薄膜的 SEM、AFM 分析 | 第48-49页 |
| ·样品电阻开关特性分析 | 第49-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第61-62页 |
