| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 前言 | 第11-12页 |
| 1.2 多铁材料 | 第12-14页 |
| 1.3 多铁性BiFeO_3 | 第14-18页 |
| 1.3.1 BFO的结构及特性 | 第14-16页 |
| 1.3.2 BFO的制备 | 第16-18页 |
| 1.4 砷化镓半导体 | 第18-20页 |
| 1.5 多铁/半导体异质结 | 第20-21页 |
| 1.6 本文的研究意义和研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 多铁氧化物外延异质结制备及测试方法 | 第23-34页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 几种常用外延生长方法 | 第23-27页 |
| 2.2.1 气相沉积 | 第23-24页 |
| 2.2.2 分子束外延 | 第24-25页 |
| 2.2.3 金属有机化合物化学气相沉淀 | 第25-26页 |
| 2.2.4 激光脉冲沉积 | 第26-27页 |
| 2.3 结构表征 | 第27-30页 |
| 2.3.1 SEM分析 | 第27-28页 |
| 2.3.2 XRD分析 | 第28-29页 |
| 2.3.3 AFM分析 | 第29-30页 |
| 2.4 异质结性能测试 | 第30-33页 |
| 2.4.1 测试仪器 | 第30-31页 |
| 2.4.2 分析模型 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 界面结构对BFO/GaAs外延异质结电学性能的影响 | 第34-49页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 异质结的界面结构与电学特性 | 第34-41页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第34-35页 |
| 3.2.2 界面结构特性 | 第35-36页 |
| 3.2.3 介电特性 | 第36-38页 |
| 3.2.4 原位铁电性 | 第38-39页 |
| 3.2.5 漏电特性 | 第39-41页 |
| 3.3 缓冲层对异质结电学特性影响 | 第41-43页 |
| 3.3.1 单一缓冲层 | 第41页 |
| 3.3.2 双缓冲层 | 第41-43页 |
| 3.4 厚度对异质结电学特性影响 | 第43-47页 |
| 3.4.1 不同BFO薄膜厚度对异质结电学性能影响 | 第43-47页 |
| 3.4.2 不同缓冲层厚度对异质结电学性能影响 | 第47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 BFO/NSTO/GaAs异质结阻变特性与导电机制研究 | 第49-60页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 BFO/NSTO/GaAs异质结电学特性分析 | 第49-58页 |
| 4.2.1 BFO/NSTO/Ga As 异质结导电特性 | 第49-53页 |
| 4.2.2 BFO/NSTO/GaAs异质结阻变特性 | 第53-56页 |
| 4.2.3 BFO/NSTO/GaAs异质结导电机制分析 | 第56-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67-68页 |
