| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 前言 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米材料概述 | 第10-14页 |
| 1.3 二维（2D）材料的基本性质 | 第14-16页 |
| 1.4 二维材料的分类 | 第16-18页 |
| 1.5 二维材料的制备方法 | 第18-22页 |
| 1.5.1 机械剥离法 | 第18页 |
| 1.5.2 液相剥离法 | 第18-20页 |
| 1.5.3 水热合成法 | 第20页 |
| 1.5.4 化学气相沉积 | 第20-21页 |
| 1.5.5 分子束外延法 | 第21-22页 |
| 1.6 本论文的目的、意义和研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 实验设计 | 第23-26页 |
| 2.1 实验设备和材料（WSe_2薄膜） | 第23-24页 |
| 2.2 实验设备和材料（Ge Se_2薄膜） | 第24页 |
| 2.3 样品测试和分析手段 | 第24-26页 |
| 第3章 纳米薄膜的制备 | 第26-30页 |
| 3.1 WSe_2纳米薄膜的制备 | 第26-27页 |
| 3.2 Ge Se_2纳米薄膜的制备 | 第27-29页 |
| 3.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第4章 WSe_2纳米薄膜的表征 | 第30-36页 |
| 4.1 基底对WSe_2纳米薄膜结构的影响 | 第30-32页 |
| 4.2 钨膜退火与否对WSe_2纳米薄膜结构的影响 | 第32-33页 |
| 4.3 钨薄膜溅射时间对WSe_2纳米薄膜结构的影响 | 第33-35页 |
| 4.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第5章 Ge Se_2纳米薄膜的表征 | 第36-49页 |
| 5.1 热重分析（TGA） | 第36-37页 |
| 5.2 温度对Ge Se_2纳米薄膜结构的影响 | 第37-39页 |
| 5.3 保温时长对Ge Se_2纳米薄膜结构的影响 | 第39-42页 |
| 5.4 振动样品磁强计(VSM) | 第42-44页 |
| 5.5 Ge Se_2纳米薄膜的磁性测量 | 第44-48页 |
| 5.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第6章 结论与展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表的论文 | 第56页 |
