| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 纳米半导体材料简介 | 第9-11页 |
| 1.2 纳米半导体材料的特性 | 第11-13页 |
| 1.3 纳米半导体材料的主要制备方法 | 第13-18页 |
| 1.4 铟基硫化物纳米材料的掺杂、制备与光电性质研究 | 第18-21页 |
| 1.4.1 In_2S_3纳米晶体的性质及掺杂研究 | 第18-19页 |
| 1.4.2 AgInS_2量子点的制备与光电性质研究 | 第19-20页 |
| 1.4.3 CuInS_2纳米材料的性质及应用研究 | 第20-21页 |
| 1.5 本文的研究意义与研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 In_2S_3以及Cu掺杂β-In_2S_3纳米片的制备与表征 | 第22-31页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 β-In_2S_3与Cu掺杂β-In_2S_3的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.1 实验药品 | 第23页 |
| 2.2.2 β-In_2S_3纳米片的制备 | 第23页 |
| 2.2.3 不同的Cu/In摩尔比的Cu掺杂β-In_2S_3纳米片制备 | 第23页 |
| 2.2.4 光电化学反应及活性测定 | 第23-24页 |
| 2.3 β-In_2S_3以及Cu掺杂β-In_2S_3纳米片的表征方法 | 第24-27页 |
| 2.3.1 透射电子显微镜（Transmission electron microscope, TEM) | 第24-25页 |
| 2.3.2 紫外-可见光分光度计(Ultraviolet and visiblespectrophotometry, UV-Vis) | 第25-26页 |
| 2.3.3 X射线衍射 （X-ray diffraction，XRD) | 第26-27页 |
| 2.4 实验结果与讨论 | 第27-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 AgInS_2/ZnS内核/外壳结构的量子点的制备与光电性质研究 | 第31-38页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 AgInS_2/ZnS内核/外壳结构的量子点表征方法 | 第32页 |
| 3.3 水热法合成AgInS_2及AgInS_2/ZnS内核/外壳结构量子点 | 第32-34页 |
| 3.3.1 实验试剂 | 第32-33页 |
| 3.3.2 实验溶液准备 | 第33页 |
| 3.3.3 Ag-In-S核量子点的合成 | 第33页 |
| 3.3.4 ZnS壳层在Ag-In-S核量子点的原位生长 | 第33-34页 |
| 3.3.5 不同Ag/In摩尔比例的Ag-In-S/ZnS核壳结构的量子点的制备 | 第34页 |
| 3.4 实验结果分析 | 第34-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 CuInS_2量子点的溶剂热法合成与光学性质研究 | 第38-44页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 不同Cu/In摩尔比、反应温度的CuInS_2量子点的溶剂热法合成 | 第38-39页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第38-39页 |
| 4.2.2 CuInS_2量子点的溶剂热法合成(Cu/In=1:1,230℃) | 第39页 |
| 4.2.3 不同Cu/In摩尔比的CuInS_2量子点的溶剂热法合成 | 第39页 |
| 4.2.4 不同反应温度的CuInS_2量子点的溶剂热法合成 | 第39页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第39-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 结论和展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-52页 |
| 攻读硕士期间发表的科研成果目录 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
