| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第11-28页 |
| 第一节 石墨烯的纳米结构及磁性 | 第11-16页 |
| 1.1 石墨烯 | 第11-14页 |
| 1.2 有杂质和缺陷时石墨烯的磁性 | 第14-16页 |
| 第二节 原子缺陷时二维石墨烯和类石墨烯纳米带材料的微观结构,光/电子特性和纳米磁性 | 第16-22页 |
| 2.1 石墨烯系统 | 第16-18页 |
| 2.2 氮化硼系统 | 第18页 |
| 2.3 过渡金属硫化物(TMDs) | 第18-22页 |
| 第三节 石墨烯纳米带的边界磁矩 | 第22-24页 |
| 第四节 小结 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第二章 在六角格子纳米带上边界磁性随尺寸和掺杂度的调控 | 第28-50页 |
| 第一节 研究背景 | 第28-30页 |
| 第二节 模型以及方法 | 第30-33页 |
| 第三节 AFCE-FMCE相变和调控 | 第33-42页 |
| 3.1 无外部磁场 | 第33-41页 |
| 3.2 有外部磁场 | 第41-42页 |
| 第四节 朗道理论的描述 | 第42-45页 |
| 4.1 无外部磁场 | 第43-44页 |
| 4.2 有外部磁场 | 第44-45页 |
| 第五节 结论和讨论 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 第三章 在六角格子纳米带上用势场来调控磁构型 | 第50-78页 |
| 第一节 研究背景 | 第50-51页 |
| 第二节 模型和方法 | 第51-56页 |
| 第三节 弱势场区域的磁性 | 第56-67页 |
| 3.1 平均粒子数为半满的情况 | 第56-59页 |
| 3.2 平均粒子数为偏离半满的情况 | 第59-67页 |
| 第四节 强势场区域的磁性 | 第67-73页 |
| 4.1 平均粒子数为半满的情况 | 第68-72页 |
| 4.2 平均粒子数为偏离半满的情况 | 第72-73页 |
| 第五节 结论和讨论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第四章 回顾与展望 | 第78-81页 |
| 第一节 对已有成果的总结 | 第78-79页 |
| 第二节 展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-81页 |
| 博士期间完成的论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |