| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第8-15页 |
| 1.1 腔量子电动力学研究背景与研究动机 | 第8-11页 |
| 1.2 本文基本框架 | 第11-13页 |
| 参考文献 | 第13-15页 |
| 第二章 腔量子电动力学基本理论 | 第15-44页 |
| 2.1 半导体自组织生长量子点概述 | 第15-22页 |
| 2.1.1 基于SK生长模式的MOCVD外延生长概述 | 第16-17页 |
| 2.1.2 半导体量子点中的激子态以及光学性质 | 第17-22页 |
| 2.2 基于腔量子电动力学的单量子点与微腔的耦合 | 第22-33页 |
| 2.2.1 强耦合区：真空Rabi分裂 | 第25-30页 |
| 2.2.2 弱耦合区：Purcell效应 | 第30-33页 |
| 2.3 半导体纳米微腔结构概述 | 第33-41页 |
| 2.3.1 圆盘形微腔 | 第33-36页 |
| 2.3.2 微柱形微腔 | 第36-39页 |
| 2.3.3 光子晶体微腔 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 第三章 微柱形腔量子点的制备与实验配置 | 第44-60页 |
| 3.1 微柱形腔量子点的生长与加工 | 第44-55页 |
| 3.1.1 样品设计与生长 | 第45-50页 |
| 3.1.2 微柱形腔量子点的刻蚀与加工 | 第50-55页 |
| 3.2 实验配置与方法 | 第55-59页 |
| 3.2.1 共焦显微荧光光谱系统 | 第55-57页 |
| 3.2.2 深低温,强磁场系统 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第四章 单量子点-微腔耦合系统自发辐射的温度调控 | 第60-75页 |
| 4.1 前言 | 第60-61页 |
| 4.2 实验配置 | 第61页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第61-71页 |
| 4.3.1 单个量子点-微腔结构的变温PL光谱 | 第61-65页 |
| 4.3.2 腔量子电动力学：Purcell效应 | 第65-71页 |
| 4.3 小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第五章 Purcell效应的磁场调控及激子自旋态的选择性耦合 | 第75-102页 |
| 5.1 前言 | 第75-77页 |
| 5.2 磁场中单个量子点的塞曼效应与抗磁效应 | 第77-87页 |
| 5.2.1 样品与实验配置 | 第77-78页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第78-87页 |
| 5.2.2.1 抗磁效应 | 第81-85页 |
| 5.2.2.2 塞曼分裂和朗德g因子 | 第85-87页 |
| 5.3 单量子点-微腔耦合系统中Purcell效应的磁调控以及自旋相关的自发辐射速率的选择性增强 | 第87-98页 |
| 5.3.1 实验配置与方法 | 第87-88页 |
| 5.3.2 实验结果与讨论 | 第88-98页 |
| 5.3.2.1 Purcell效应的磁调控 | 第88-93页 |
| 5.3.2.2 自旋相关的激子自发辐射速率的选择性增强 | 第93-95页 |
| 5.3.2.3 Purcell效应：交换关联相互作用对自发辐射过程的影响 | 第95-98页 |
| 5.4 小结 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-102页 |
| 第六章 后续研究方向的分析与展望 | 第102-109页 |
| 6.1 Ⅱ-Ⅵ族量子点 | 第102-105页 |
| 6.2 单量子点与微腔强耦合的实现 | 第105-106页 |
| 6.3 共振激发与共振荧光的探测 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-109页 |
| 第七章 总结 | 第109-110页 |
| 附录 | 第110-112页 |
| 博士期间发表论文 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
