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Sn:In2O3和Nb:TiO2透明导电薄膜的结构和电输运性质研究

中文摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第一章 前言第8-26页
    1.1 透明导电氧化薄膜(TCO) 概述第8-11页
        1.1.1 锡掺杂三氧化二铟薄膜(ITO) 概述第9-10页
        1.1.2 铌掺杂二氧化钛薄膜(Ti_(1-x)Nb_x0_2) 概述第10-11页
    1.2 TCO 薄膜的研究现状第11-24页
        1.2.1 TCO 薄膜的结构性质第11-17页
            1.2.1.1 TCO 薄膜的取向性与外延性第12-14页
            1.2.1.2 TCO 薄膜的化学价态第14-15页
            1.2.1.3 TCO 薄膜的形貌特征第15-17页
        1.2.2 TCO 薄膜的光学性质第17-18页
        1.2.3 TCO 薄膜的电输运性质第18-24页
            1.2.3.1 TCO 薄膜的电阻率第19-21页
            1.2.3.2 TCO 薄膜的载流子浓度第21-22页
            1.2.3.3 TCO 薄膜的迁移率和散射机制第22-23页
            1.2.3.4 TCO 薄膜的磁电阻第23-24页
        1.2.4 TCO 薄膜的磁学特性第24页
    1.3 本论文的主要工作第24-26页
第二章 样品的制备和表征手段第26-33页
    2.1 透明导电氧化薄膜的制备第26-30页
        2.1.1 ITO 薄膜的制备第26-28页
            2.1.1.1 射频磁控溅射法简介第26-27页
            2.1.1.2 ITO 薄膜的制备过程第27-28页
        2.1.2 Ti_(1-x)Nb_x0_2 靶材的制备第28-29页
            2.1.2.1 固相反应法简介第28页
            2.1.2.2 Ti_(1-x)Nb_x0_2 靶材的制备过程第28-29页
        2.1.3 Ti_(1-x)Nb_x0_2 薄膜的制备第29-30页
    2.2 透明导电氧化薄膜的表征手段第30-33页
        2.2.1 厚度测量第30页
        2.2.2 微观结构表征第30-31页
        2.2.3 电输运性质测量第31-32页
        2.2.4 磁性测量第32-33页
第三章 锡掺杂三氧化二铟薄膜的结构和性质第33-48页
    3.1 ITO 薄膜的结构第33-39页
        3.1.1 ITO薄膜的微观结构第33-37页
        3.1.2 ITO薄膜的成分和价态第37-38页
        3.1.3 ITO薄膜的表面形貌第38-39页
    3.2 ITO 薄膜的电输运性质第39-46页
        3.2.1 导电机制第40-43页
        3.2.2 散射机制第43-46页
    3.3 本章小结第46-48页
第四章 铌掺杂二氧化钛薄膜的结构和性质第48-68页
    4.1 Ti_(1-x)Nb_x0_2 薄膜的结构第48-53页
        4.1.1 Ti_(1-x)Nb_x0_2薄膜的微观结构第48-50页
        4.1.2 Ti_(1-x)Nb_x0_2薄膜的成分和价态第50-52页
        4.1.3 Ti_(1-x)Nb_x0_2薄膜的表面形貌第52-53页
    4.2 Ti_(1-x)Nb_x0_2 薄膜的电输运性质第53-64页
        4.2.1 导电机制第53-59页
        4.2.2 磁电阻来源第59-64页
    4.3 Ti_(1-x)Nb_x0_2 薄膜的磁学性质第64-66页
    4.4 本章小结第66-68页
第五章 结论第68-70页
参考文献第70-75页
硕士在读期间已发表和已完成的论文第75-76页
致谢第76页

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