| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 应用背景 | 第7-8页 |
| 1.2 频率合成器的发展及特点 | 第8-9页 |
| 1.3 论文结构 | 第9-11页 |
| 第二章 ADS软件和工艺简介 | 第11-24页 |
| 2.1 ADS简介 | 第11-19页 |
| 2.1.1 ADS应用领域 | 第11-12页 |
| 2.1.2 ADS仿真器 | 第12-19页 |
| 2.2 SiGe工艺简介 | 第19-22页 |
| 2.2.1 B0SiGe技术发展及其应用 | 第19-20页 |
| 2.2.2 B1SiGe双极晶体管分析 | 第20-21页 |
| 2.2.3 B2Atmel的SiGe工艺简介 | 第21-22页 |
| 2.2.4 Bipolar双极与CMOS和BiCMOS工艺的区别 | 第22页 |
| 2.3 设计难点 | 第22-24页 |
| 第三章 关键器件设计和噪声源分析 | 第24-35页 |
| 3.1 电感的设计 | 第24-28页 |
| 3.2 电容的选择 | 第28-30页 |
| 3.3 滤波器 | 第30-32页 |
| 3.4 集成电路存在的噪声源[6] | 第32-35页 |
| 第四章 整数频率合成器的电路设计 | 第35-64页 |
| 4.1 鉴频鉴相器和电荷泵的分析和设计 | 第35-45页 |
| 4.1.1 B4原理分析 | 第35-40页 |
| 4.1.2 B5鉴频鉴相器的电路实现 | 第40-43页 |
| 4.1.3 仿真结果及分析 | 第43-45页 |
| 4.2 LC振荡器设计 | 第45-55页 |
| 4.2.1 B7LC振荡器原理 | 第45-50页 |
| 4.2.2 B8振荡器参数考虑 | 第50-53页 |
| 4.2.3 B9VCO电路的设计和仿真 | 第53-55页 |
| 4.3 分频器设计 | 第55-61页 |
| 4.3.1 0B1二分频的预分频 | 第56-57页 |
| 4.3.2 1B2/3 分频可编程分频器 | 第57-61页 |
| 4.4 系统的整体仿真 | 第61-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |