| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第10-20页 |
| 1.1 高k 材料的概述 | 第10-14页 |
| 1.1.1 高k 材料的研究背景 | 第10-11页 |
| 1.1.2 超薄Si0_2 栅介质的优点及局限性 | 第11-12页 |
| 1.1.3 Si 基高k 栅介质的选择要求 | 第12-14页 |
| 1.2 高k 材料的研究现状与进展 | 第14-15页 |
| 1.3 Si 基铁电场效应晶体管的概述 | 第15-19页 |
| 1.3.1 铁电存储器的基本结构及存储机理 | 第15-18页 |
| 1.3.2 铁电场效应晶体管的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文的主要内容及意义 | 第19-20页 |
| 第2章 薄膜的制备及检测方法 | 第20-25页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第20-22页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积技术(PLD) | 第20-21页 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜的检测方法 | 第22-25页 |
| 2.2.1 X 射线衍射 | 第22-23页 |
| 2.2.2 电容-电压性能 | 第23-24页 |
| 2.2.3 电流-电压性能 | 第24-25页 |
| 第3章 Ni-Al-O 高k 栅介质的性能研究 | 第25-36页 |
| 3.1 Pt/Ni-Al-O/Pt 与Pt/Ni-Al-O/Si 电容器的制备 | 第25-26页 |
| 3.2 Pt/Ni-Al-O/Pt MIM 电容器的结构与性能研究 | 第26-31页 |
| 3.2.1 高温退火样品的结构性能 | 第26-27页 |
| 3.2.2 MIM 电容器的介电性能 | 第27-31页 |
| 3.3 Pt/Ni-Al-O/Si MOS 电容器的性能研究 | 第31-35页 |
| 3.3.1 Ni-Al-O/Si 堆栈的形貌 | 第31页 |
| 3.3.2 退火温度对MOS 电容器介电性能的影响 | 第31-34页 |
| 3.3.3 退火温度对MOS 电容器I - V 特性的影响 | 第34-35页 |
| 3.4 小结 | 第35-36页 |
| 第4章 生长工艺对Ni-Al-O 电学和界面特性的影响 | 第36-42页 |
| 4.1 电容器的制备 | 第36页 |
| 4.2 生长工艺对Ni-Al-O 薄膜界面特性的影响 | 第36-41页 |
| 4.3 小结 | 第41-42页 |
| 第5章 PbZ1_0.2Ti_0.80_3/Ti-Al-O 异质结的集成研究 | 第42-48页 |
| 5.1 Pt/PZT/Pt 和Pt/PZT/Ti-Al-O/Si 电容器的制备 | 第42-43页 |
| 5.2 Pt/PZT/Pt 电容器的结构和电学性能研究 | 第43-45页 |
| 5.3 Pt/PZT/Ti-Al-O/Si 电容器的性能研究 | 第45-47页 |
| 5.4 小结 | 第47-48页 |
| 结束语 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第55页 |
