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化合物薄膜太阳电池若干问题研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第8-16页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 太阳电池第9-15页
        1.2.1 太阳电池基本原理第9-11页
        1.2.2 太阳电池的分类第11-13页
        1.2.3 太阳电池的发展第13-15页
    1.3 选题目的与研究内容第15-16页
第二章 CdTe薄膜太阳电池第16-24页
    2.1 CdTe材料的性质第16-17页
    2.2 CdTe薄膜的制备方法第17-19页
        2.2.1 近空间升华法(CSS)第17-18页
        2.2.2 射频磁控溅射法(RF magnetron sputtering)第18页
        2.2.3 真空热蒸发法第18-19页
        2.2.4 电沉积制备技术(ED)第19页
    2.3 CdTe薄膜太阳电池的结构第19-22页
        2.3.1 透明导电基底(TCO)第20页
        2.3.2 CdS缓冲层材料第20-21页
        2.3.3 CdTe吸收层材料第21-22页
        2.3.4 背电极第22页
    2.4 CdTe太阳电池的发展历程第22-24页
第三章 干法CdCl_2处理对溅射CdTe/CdS薄膜的影响第24-33页
    3.1 引言第24页
    3.2 实验过程第24-26页
        3.2.1 衬底预处理第24-25页
        3.2.2 溅射沉积过程第25页
        3.2.3 干法CdCl_2退火处理过程第25-26页
        3.2.4 CdTe薄膜性能的表征第26页
    3.3 结果与讨论第26-32页
        3.3.1 薄膜晶体结构与表面形态第26-29页
        3.3.2 薄膜的光学特性第29-30页
        3.3.3 拉曼分析第30-31页
        3.3.4 CdTe/CdS电池的光电特性第31-32页
    3.4 结论第32-33页
第四章 CdCl_2处理对溅射和近空间升华法制备的CdTe薄膜性能影响的比较第33-42页
    4.1 引言第33页
    4.2 实验过程第33-35页
        4.2.1 衬底预处理第33页
        4.2.2 溅射法制备CdTe薄膜第33-34页
        4.2.3 近空间升华(CSS)技术制备CdTe薄膜第34-35页
        4.2.4 湿法CdCl_2退火处理第35页
        4.2.5 薄膜的性能表征第35页
    4.3 结果与讨论第35-41页
        4.3.1 晶体结构与表面形态第35-38页
        4.3.2 光学特性第38-40页
        4.3.3 CdTe薄膜的光电转换特性第40-41页
    4.4 结论第41-42页
第五章 CIGS薄膜太阳电池无镉缓冲层第42-52页
    5.1 CIGS薄膜太阳电池第42-44页
    5.2 无镉缓冲层第44-46页
    5.3 Zn_(1-x)Mg_xO材料的制备方法第46-48页
        5.3.1 原子层沉积第46页
        5.3.2 射频磁控溅射法第46-47页
        5.3.3 喷雾热解法第47-48页
    5.4 超声喷雾热解法制备Zn_(1-x)Mg_xO薄膜第48-51页
        5.4.1 实验过程第48-49页
        5.4.2 结果与讨论第49-51页
    5.5 本章小结第51-52页
第六章 总结与展望第52-54页
    6.1 论文的主要结论第52-53页
    6.2 工作展望第53-54页
参考文献第54-61页
攻读硕士学位期间论文发表情况第61-62页
致谢第62-63页

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