中文摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 纳米材料概论 | 第9-21页 |
1.1 纳米材料的发展现状与意义 | 第9-11页 |
1.2 纳米科技及纳米材料概述 | 第11-12页 |
1.2.1 纳米科技 | 第11页 |
1.2.2 纳米材料的概念 | 第11-12页 |
1.3 纳米材料的分类及纳米材料的基本效应 | 第12-15页 |
1.3.1 纳米材料的分类 | 第12-13页 |
1.3.2 纳米材料的基本效应 | 第13-15页 |
1.4 纳米材料的应用 | 第15-17页 |
1.5 纳米材料的制备 | 第17-20页 |
1.6 本章小结 | 第20-21页 |
第二章 课题研究内容概述 | 第21-29页 |
2.1 课题来源 | 第21页 |
2.2 课题研究的目的和意义 | 第21-22页 |
2.3 In_2O_3 从材料制备到传感器所面临挑战 | 第22-23页 |
2.3.1 挑战1--In_2O_3纳米材料的形貌可控合成 | 第22页 |
2.3.2 挑战2-In_2O_3纳米材料气敏性能的深入研究及实用研究 | 第22-23页 |
2.4 气体传感器敏感机理 | 第23-25页 |
2.4.1 半导体气体传感器敏感机理 | 第23-24页 |
2.4.2 纳米In_2O_3气体传感器敏感机理 | 第24-25页 |
2.5 本项目研究内容可行性分析 | 第25-26页 |
2.5.1 蔗糖作模板可行性 | 第25-26页 |
2.5.2 ZnO作模板可行性 | 第26页 |
2.6 本论文的主要内容 | 第26-27页 |
2.6.1 以蔗糖作为形貌控制剂制备In_2O_3空心微球 | 第27页 |
2.6.2 以ZnO微米棒作为形貌控制模板制备空心棒状In_2O_3 | 第27页 |
2.6.3 对产物进行表征 | 第27页 |
2.6.4 对产物进行气敏性能测试 | 第27页 |
2.7 本章小结 | 第27-29页 |
第三章 以蔗糖作为形貌控制剂制备In_2O_3空心微球 | 第29-43页 |
3.1 引言 | 第29页 |
3.2 实验部分 | 第29-30页 |
3.2.1 实验主要仪器和试剂 | 第29-30页 |
3.2.2 实验试剂 | 第30页 |
3.3 样品的制备方法 | 第30-31页 |
3.3.1 In_2O_3空心微球的制备 | 第30-31页 |
3.4 样品的表征方法 | 第31-33页 |
3.4.1 X射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
3.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第32页 |
3.4.3 透射电子显微镜(TEM) | 第32页 |
3.4.4 气敏性能检测 | 第32-33页 |
3.5 结果与讨论 | 第33-39页 |
3.5.1 In(OH)_3-1表征结果 | 第33-34页 |
3.5.2 In_2O_3-1、In_2O_3-2、In_2O_3-3表征结果 | 第34-36页 |
3.5.3 In_2O_3-4、In_2O_3-5表征结果 | 第36-37页 |
3.5.4 In_2O_3-6、In_2O_3-7表征结果 | 第37-38页 |
3.5.5 In_2O_3空心微球形成机理探讨 | 第38-39页 |
3.6 气敏原件制作及气敏性能测试 | 第39-41页 |
3.6.1 传感器的制作 | 第39页 |
3.6.2 气敏性能测试 | 第39-41页 |
3.7 本章小结 | 第41-43页 |
第四章 模板法制备中空/多孔In_2O_3微米棒 | 第43-56页 |
4.1 引言 | 第43页 |
4.2 实验部分 | 第43-44页 |
4.2.1 实验主要仪器和试剂 | 第43-44页 |
4.2.2 实验试剂 | 第44页 |
4.3 样品的制备方法 | 第44-45页 |
4.3.1 ZnO微米棒模板的制备 | 第44页 |
4.3.2 In_2O_3中空/多孔材料的合成 | 第44-45页 |
4.3.3 ZnO-2/In_2O_3核壳结构的化学腐蚀 | 第45页 |
4.4 结果与讨论 | 第45-52页 |
4.4.1 ZnO微米棒表征结果 | 第45-48页 |
4.4.2 In_2O_3中空/多孔材料的表征结果 | 第48-49页 |
4.4.3 ZnO-2/In_2O_3-3的化学腐蚀 | 第49-51页 |
4.4.4 形成机理探讨 | 第51-52页 |
4.5 气敏性能测试 | 第52-54页 |
4.6 本章小结 | 第54-56页 |
第五章 结论 | 第56-59页 |
5.1 主要结论 | 第56-58页 |
5.2 研究展望 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-63页 |
在学期间的研究成果 | 第63-64页 |
致谢 | 第64页 |