中文摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 引言 | 第8-22页 |
1.1 太阳能电池的种类和发展 | 第8-11页 |
1.2 薄膜太阳能电池的结构 | 第11-14页 |
1.3 太阳电池缓冲层Zn(O,S)及其制备技术 | 第14-19页 |
1.4 选题依据与研究内容 | 第19-21页 |
1.4.1 选题依据 | 第19-20页 |
1.4.2 研究内容 | 第20-21页 |
1.5 本章小结 | 第21-22页 |
第二章 Zn(O,S)薄膜的制备及其表征方法 | 第22-37页 |
2.1 电子束蒸发镀膜 | 第22-24页 |
2.1.1 电子束蒸发设备及原理 | 第22-23页 |
2.1.2 薄膜的生长过程 | 第23-24页 |
2.2 测试原理 | 第24-33页 |
2.2.1 X射线衍射 | 第25-26页 |
2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第26-27页 |
2.2.3 能量色散X射线光谱(EDX) | 第27-28页 |
2.2.4 半导体光学性能的测试 | 第28-30页 |
2.2.5 半导体的霍尔测试原理 | 第30-32页 |
2.2.6 电阻率的测试原理 | 第32-33页 |
2.3 Zn(O,S)薄膜的制备 | 第33-36页 |
2.3.1 清洗基片 | 第34页 |
2.3.2 电子束蒸发制备ZnS薄膜 | 第34-35页 |
2.3.3 氧化制备Zn(O,S)薄膜 | 第35-36页 |
2.4 本章小结 | 第36-37页 |
第三章 Zn(O,S)薄膜性能的研究 | 第37-51页 |
3.1 Zn(O,S)薄膜的组成成分 | 第37-38页 |
3.1.1 氧化温度对Zn(O,S)薄膜成分的影响 | 第37页 |
3.1.2 氧化时间对Zn(O,S)薄膜成分的影响 | 第37-38页 |
3.2 Zn(O,S)薄膜的物相结构 | 第38-40页 |
3.3 Zn(O,S)薄膜的表面形貌 | 第40-44页 |
3.3.1 氧化温度对Zn(O,S)薄膜表面形貌的影响 | 第41-43页 |
3.3.2 氧化时间对Zn(O,S)薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
3.4 CZTS薄膜的光学性能 | 第44-48页 |
3.4.1 氧化温度对Zn(O,S)薄膜光学性能的影响 | 第44-46页 |
3.4.2 氧化时间对Zn(O,S)薄膜光学性能的影响 | 第46-48页 |
3.5 Zn(O,S)的电学性能 | 第48-49页 |
3.5.1 氧化温度对Zn(O,S)薄膜电学性能的影响 | 第48-49页 |
3.5.2 氧化时间对Zn(O,S)薄膜电学性能的影响 | 第49页 |
3.6 本章小结 | 第49-51页 |
第四章 Zn(O,S)薄膜在CZTS太阳能电池上的应用 | 第51-57页 |
4.1 太阳能电池的原理 | 第51-52页 |
4.2 CZTS/Zn(O,S)异质结的制备 | 第52页 |
4.3 CZTS/Zn(O,S)异质结的I-V特性研究 | 第52-56页 |
4.3.1 Zn(O,S)薄膜的氧化温度对Zn(O,S)/CZTS异质结I-V特性的影响 | 第52-54页 |
4.3.2 Zn(O,S)薄膜的氧化时间对Zn(O,S)/CZTS异质结I-V特性的影响 | 第54-55页 |
4.3.3 Zn(O,S)薄膜厚度对Zn(O,S)/CZTS异质结I-V特性的影响 | 第55-56页 |
4.4 本章小结 | 第56-57页 |
第五章 Zn(O,S)薄膜在SnS太阳能电池上的应用 | 第57-65页 |
5.1 SnS/Zn(O,S)异质结的制备 | 第57页 |
5.2 SnS/Zn(O,S)异质结的I-V特性研究 | 第57-62页 |
5.2.1 Zn(O,S)薄膜的氧化温度对SnS/Zn(O,S)异质结的I-V特性的影响 | 第58-59页 |
5.2.2 Zn(O,S)氧化时间对SnS/Zn(O,S)异质结的I-V特性的影响 | 第59-60页 |
5.2.3 Zn(O,S)厚度对SnS/Zn(O,S)异质结I-V特性的影响 | 第60-61页 |
5.2.4 SnS的退火温度对SnS/Zn(O,S)异质结I-V特性的影响 | 第61-62页 |
5.3 SnS/Zn(O,S)异质结的光响应研究 | 第62-63页 |
5.4 本章小结 | 第63-65页 |
结论 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
个人简历、在学期间的研究成果及发表的论文 | 第73页 |