| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题研究背景及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 无线接收机射频前端电路系统结构 | 第11-13页 |
| 1.2.1 超外差式接收机 | 第11-12页 |
| 1.2.2 零中频接收机 | 第12-13页 |
| 1.2.3 低中频接收机 | 第13页 |
| 1.3 CMOS正交压控振荡器的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.4 本论文的研究内容和组织结构 | 第15-17页 |
| 1.4.1 主要研究内容 | 第15-16页 |
| 1.4.2 论文的组织结构 | 第16-17页 |
| 第二章 振荡器研究的理论基础 | 第17-30页 |
| 2.1 振荡器的基本原理 | 第17-20页 |
| 2.1.1 双端口负反馈系统分析 | 第17-18页 |
| 2.1.2 单端能量补偿系统分析 | 第18-20页 |
| 2.2 电感电容压控振荡器结构 | 第20-27页 |
| 2.2.1 压控振荡器的数学模型 | 第20-21页 |
| 2.2.2 窄带电感电容压控振荡器 | 第21-22页 |
| 2.2.3 宽带电感电容压控振荡器 | 第22-24页 |
| 2.2.4 正交输出电感电容压控振荡器 | 第24-27页 |
| 2.3 振荡器相位噪声 | 第27-30页 |
| 2.3.1 相位噪声概念 | 第27-28页 |
| 2.3.2 相位噪声研究方法 | 第28-30页 |
| 第三章 0.18μm CMOS工艺的衬底耦合正交压控振荡器设计 | 第30-41页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 基本原理和电路实现 | 第30-38页 |
| 3.2.1 传统的正交压控振荡器 | 第30-31页 |
| 3.2.2 本章提出的衬底耦合正交压控振荡器 | 第31-32页 |
| 3.2.3 衬底耦合技术 | 第32-33页 |
| 3.2.4 正向衬底偏置技术 | 第33-36页 |
| 3.2.5 尾晶体管开关自偏置技术 | 第36-38页 |
| 3.3 仿真结果与分析讨论 | 第38-40页 |
| 3.3.1 时域输出波形仿真结果 | 第38-39页 |
| 3.3.2 频率调谐范围仿真结果 | 第39页 |
| 3.3.3 相位噪声仿真结果 | 第39-40页 |
| 3.3.4 与相关论文的性能比较 | 第40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 0.18μm CMOS工艺的电流复用正交压控振荡器设计 | 第41-50页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 基本原理及电路实现 | 第41-46页 |
| 4.2.1 传统的电流复用结构压控振荡器 | 第41-43页 |
| 4.2.2 本章提出的电流复用结构正交压控振荡器 | 第43-44页 |
| 4.2.3 可变电容偏置方法的实现 | 第44-45页 |
| 4.2.4 尾电流源改进方法的实现 | 第45-46页 |
| 4.3 仿真结果及分析讨论 | 第46-49页 |
| 4.3.1 时域输出波形仿真结果 | 第47页 |
| 4.3.2 频率调谐范围仿真结果 | 第47-48页 |
| 4.3.3 相位噪声仿真结果 | 第48页 |
| 4.3.4 与相关论文的性能比较 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 附录A (攻读硕士学位期间所发表的学术论文目录) | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |