| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 Al_2O_3陶瓷的基本特性 | 第12-13页 |
| 1.3 Al_2O_3陶瓷金属化研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3.1 Al_2O_3陶瓷金属化方法 | 第13-15页 |
| 1.3.2 直接覆铜技术（DBC）的现状与发展趋势 | 第15-16页 |
| 1.4 Cu_2O薄膜制备研究现状 | 第16-20页 |
| 1.4.1 Cu_2O薄膜制备方法 | 第16-19页 |
| 1.4.2 电沉积法制备Cu_2O薄膜的现状与发展趋势 | 第19-20页 |
| 1.5 本文的研究目的和内容 | 第20-22页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第20页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验过程 | 第22-25页 |
| 2.1 实验主要原料及设备 | 第22-23页 |
| 2.1.1 实验主要原料 | 第22页 |
| 2.1.2 实验主要设备 | 第22-23页 |
| 2.2 材料的表征 | 第23-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪（XRD）分析 | 第23页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第23页 |
| 2.2.3 大载荷划痕仪（RST）分析 | 第23页 |
| 2.2.4 万能材料试验机测试 | 第23-25页 |
| 第三章 热氧化法制备Cu_2O薄膜及研究 | 第25-30页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 样品制备 | 第25-26页 |
| 3.3 结果分析 | 第26-29页 |
| 3.3.1 氧分压对Cu_2O薄膜的影响 | 第26-27页 |
| 3.3.2 氧化时间对Cu_2O薄膜的影响 | 第27-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 电沉积法制备Cu_2O薄膜及研究 | 第30-42页 |
| 4.1 引言 | 第30页 |
| 4.2 样品制备 | 第30-31页 |
| 4.3 结果分析 | 第31-40页 |
| 4.3.1 pH值对Cu_2O薄膜的影响 | 第31-34页 |
| 4.3.2 电流密度对Cu_2O薄膜的影响 | 第34-38页 |
| 4.3.3 沉积时间对Cu_2O薄膜的影响 | 第38-40页 |
| 4.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第五章 Al_2O_3陶瓷表面覆Cu的制备及研究 | 第42-56页 |
| 5.1 引言 | 第42页 |
| 5.2 样品制备 | 第42-43页 |
| 5.3 结果分析 | 第43-54页 |
| 5.3.1 Cu_2O薄膜形貌对Cu/Al_2O_3结合强度的影响 | 第43-45页 |
| 5.3.2 保温时间对Cu/Al_2O_3结合强度的影响 | 第45-47页 |
| 5.3.3 热氧化法与电沉积法制备的Cu/Al_2O_3结合强度对比 | 第47-48页 |
| 5.3.4 Cu/Al_2O_3中间结合层产物的分析 | 第48-50页 |
| 5.3.5 Cu/Al_2O_3界面孔洞的分析 | 第50-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第六章 全文总结与课题展望 | 第56-59页 |
| 6.1 全文总结 | 第56-57页 |
| 6.2 论文创新点 | 第57页 |
| 6.3 课题展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 在校期间研究成果及发表的学术论文 | 第65页 |
