| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 半导体存储器的发展 | 第8-9页 |
| 1.2 非易失性存储器的发展现状 | 第9-11页 |
| 1.3 相变存储器的概述 | 第11-14页 |
| 1.4 相变存储器的特性简介 | 第14-16页 |
| 1.5 本论文主要研究目的和内容安排 | 第16-18页 |
| 2 相变存储器单元的测试和建模 | 第18-31页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 相变存储器单元的测试 | 第18-23页 |
| 2.3 相变存储器单元的建模和仿真 | 第23-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 3 脉冲电流源设计 | 第31-40页 |
| 3.1 脉冲电流源总体设计方案 | 第31-32页 |
| 3.2 脉冲电流源电路设计 | 第32-36页 |
| 3.3 整体电路设计 | 第36-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 相变存储器单元电压和电流激励下特性分析 | 第40-55页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 相变存储器在电流和电压激励下的误差分析 | 第40-42页 |
| 4.3 相变单元测试中的阈值稳定性分析 | 第42-44页 |
| 4.4 相变存储器在电压和电流激励下的仿真和实验分析 | 第44-51页 |
| 4.5 寄生电容对激励源的影响 | 第51-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 5 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 总结 | 第55页 |
| 5.2 展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |