| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-28页 |
| 1.1 ZnO纳米线的研究现状 | 第8-18页 |
| 1.1.1 ZnO半导体材料的基本特性 | 第8-12页 |
| 1.1.2 ZnO半导体材料的制备方法 | 第12-15页 |
| 1.1.3 ZnO半导体材料的本征缺陷及能级 | 第15-17页 |
| 1.1.4 ZnO半导体材料的掺杂改性技术 | 第17-18页 |
| 1.2 纳米线的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 材料设计应用软件的现状及MS软件的简介 | 第20-26页 |
| 1.4 本论文的出发点、主要工作及研究意义 | 第26-28页 |
| 第二章 实验过程及表征 | 第28-32页 |
| 2.1 N掺杂ZnO纳米线的制备 | 第28-29页 |
| 2.2 N掺杂ZnO纳米线的分析过程及实验结果 | 第29-32页 |
| 第三章 用Materials Studio软件建构ZnO晶体模型及理论计算 | 第32-44页 |
| 3.1 用Materials Visualizer模块建构ZnO晶体结构的方法 | 第32-33页 |
| 3.2 用CASTEP模块计算 | 第33-42页 |
| 3.2.1 能量损失谱并与实验比较 | 第39-40页 |
| 3.2.2 能带图 | 第40-41页 |
| 3.2.3 光学特性 | 第41-42页 |
| 3.3 Materials Studio软件的发展与应用 | 第42-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
