| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 纳米材料概述 | 第12-16页 |
| 1.2.1 纳米材料的特殊效应 | 第13页 |
| 1.2.2 纳米材料的应用 | 第13-15页 |
| 1.2.3 纳米材料的制备 | 第15-16页 |
| 1.3 半导体纳米材料 | 第16-17页 |
| 1.3.1 半导体纳米材料的基本概念 | 第16页 |
| 1.3.2 半导体纳米材料的特性 | 第16-17页 |
| 1.3.3 半导体纳米材料的应用及发展前景 | 第17页 |
| 1.4 纳米氧化锌材料及其异质结构 | 第17-22页 |
| 1.4.1 纳米氧化锌材料 | 第17-21页 |
| 1.4.2 一维纳米氧化锌材料 | 第21-22页 |
| 1.5 石墨烯的概述 | 第22-25页 |
| 1.5.1 石墨烯的结构 | 第22-23页 |
| 1.5.2 石墨烯的性能及应用 | 第23-25页 |
| 1.6 本论文的研究目的及研究内容 | 第25-27页 |
| 1.6.1 本论文的研究背景及目的 | 第25页 |
| 1.6.2 本论文的研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 实验设备和表征手段 | 第27-33页 |
| 2.1 实验内容 | 第27-28页 |
| 2.2 实验设备及表征方法 | 第28-33页 |
| 第三章 提拉晶种和溅射晶种对ZnO纳米棒阵列的影响 | 第33-47页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 纳米ZnO晶种的制备 | 第33-37页 |
| 3.2.1 提拉法制备ZnO晶种 | 第33-35页 |
| 3.2.2 磁控溅射法制备ZnO晶种 | 第35-36页 |
| 3.2.3 提拉法和磁控溅射法制备ZnO晶种的SEM表征 | 第36-37页 |
| 3.3 水热法制备ZnO纳米棒阵列 | 第37-39页 |
| 3.4 水热法制备ZnO纳米棒的生长机理 | 第39-40页 |
| 3.5 ZnO纳米棒的表征 | 第40-44页 |
| 3.5.1 SEM表征与分析 | 第40-43页 |
| 3.5.2 XRD表征与分析 | 第43-44页 |
| 3.5.3 紫外可见吸收光谱表征与分析 | 第44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-47页 |
| 第四章 不同金属基底上制备ZnO纳米棒阵列 | 第47-55页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 不同金属基底上ZnO纳米棒阵列的制备 | 第47-50页 |
| 4.3 ZnO纳米棒的表征与分析 | 第50-53页 |
| 4.3.1 XRD表征与分析 | 第50-51页 |
| 4.3.2 PL表征与分析 | 第51页 |
| 4.3.3 I-V特性表征与分析 | 第51-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 石墨烯-ZnO肖特基结的制备与研究 | 第55-67页 |
| 5.1 引言 | 第55页 |
| 5.2 石墨烯的制备 | 第55-60页 |
| 5.2.1 氧化-还原法制备石墨烯 | 第55-59页 |
| 5.2.2 CVD法制备石墨烯 | 第59-60页 |
| 5.3 石墨烯的拉曼光谱表征与分析 | 第60-61页 |
| 5.4 石墨烯-ZnO异质结构制备 | 第61-63页 |
| 5.4.1 氧化-还原法制备石墨烯-ZnO异质结构 | 第62页 |
| 5.4.2 石墨烯-AZNF异质结构的制备 | 第62-63页 |
| 5.5 CVD石墨烯和水热ZnO异质结构光电探测器 | 第63-66页 |
| 5.5.1 石墨烯-ZnO异质结构的表征 | 第63-64页 |
| 5.5.2 I-V测试与分析 | 第64-66页 |
| 5.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 结论及展望 | 第67-71页 |
| 主要结论 | 第67-68页 |
| 不足之处 | 第68页 |
| 展望 | 第68-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
