| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 AlN 薄膜及 GaN、InGaN 量子点的研究意义 | 第10-14页 |
| 1.2 氮化物的基本性质介绍 | 第14-16页 |
| 1.3 量子点的相关理论介绍 | 第16-20页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文的创新性工作 | 第21-23页 |
| 2 MOCVD 外延生长技术介绍 | 第23-30页 |
| 2.1 MOCVD 生长氮化物的基础理论 | 第23-27页 |
| 2.2 MOCVD 中生长模式的介绍 | 第27-29页 |
| 2.3 材料生长面临的挑战 | 第29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 AlN 薄膜的 MOCVD 生长研究 | 第30-58页 |
| 3.1 AlN 材料生长的发展历史 | 第30-32页 |
| 3.2 AlN 的生长结构 | 第32-33页 |
| 3.3 衬底表面处理工艺的研究 | 第33-38页 |
| 3.4 低温 AlN 成核层生长工艺的研究 | 第38-47页 |
| 3.5 PALE AlN 生长工艺的研究 | 第47-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 4 GaN 量子点的 MOCVD 生长研究 | 第58-97页 |
| 4.1 GaN 量子点的研究现状 | 第58-60页 |
| 4.2 AlN 模板上 S-K 模式生长 GaN 量子点工艺的研究 | 第60-65页 |
| 4.3 AlN 模板上 droplets epitaxy 方法生长 GaN 量子点工艺的研究 | 第65-81页 |
| 4.4 Caplayer 生长工艺的研究 | 第81-91页 |
| 4.5 P-GaN 上 droplets epitaxy 方法生长 GaN 量子点工艺的研究 | 第91-95页 |
| 4.6 本章小结 | 第95-97页 |
| 5 InGaN 量子点的 MOCVD 生长研究 | 第97-105页 |
| 5.1 InGaN 量子点的研究现状 | 第97页 |
| 5.2 GaN 模板生长工艺的研究 | 第97-99页 |
| 5.3 GaN 模板上 S-K 模式生长 InGaN 量子点工艺的研究 | 第99-104页 |
| 5.4 本章小结 | 第104-105页 |
| 6 总结与展望 | 第105-108页 |
| 6.1 总结 | 第105-107页 |
| 6.2 展望 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-121页 |
| 附录 1 攻读博士学位期间发表及待发表论文目录 | 第121页 |
