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蓝宝石衬底上AlN薄膜和GaN、InGaN量子点的MOCVD生长研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
目录第8-10页
1 绪论第10-23页
    1.1 AlN 薄膜及 GaN、InGaN 量子点的研究意义第10-14页
    1.2 氮化物的基本性质介绍第14-16页
    1.3 量子点的相关理论介绍第16-20页
    1.4 本论文的研究内容第20-21页
    1.5 本论文的创新性工作第21-23页
2 MOCVD 外延生长技术介绍第23-30页
    2.1 MOCVD 生长氮化物的基础理论第23-27页
    2.2 MOCVD 中生长模式的介绍第27-29页
    2.3 材料生长面临的挑战第29页
    2.4 本章小结第29-30页
3 AlN 薄膜的 MOCVD 生长研究第30-58页
    3.1 AlN 材料生长的发展历史第30-32页
    3.2 AlN 的生长结构第32-33页
    3.3 衬底表面处理工艺的研究第33-38页
    3.4 低温 AlN 成核层生长工艺的研究第38-47页
    3.5 PALE AlN 生长工艺的研究第47-57页
    3.6 本章小结第57-58页
4 GaN 量子点的 MOCVD 生长研究第58-97页
    4.1 GaN 量子点的研究现状第58-60页
    4.2 AlN 模板上 S-K 模式生长 GaN 量子点工艺的研究第60-65页
    4.3 AlN 模板上 droplets epitaxy 方法生长 GaN 量子点工艺的研究第65-81页
    4.4 Caplayer 生长工艺的研究第81-91页
    4.5 P-GaN 上 droplets epitaxy 方法生长 GaN 量子点工艺的研究第91-95页
    4.6 本章小结第95-97页
5 InGaN 量子点的 MOCVD 生长研究第97-105页
    5.1 InGaN 量子点的研究现状第97页
    5.2 GaN 模板生长工艺的研究第97-99页
    5.3 GaN 模板上 S-K 模式生长 InGaN 量子点工艺的研究第99-104页
    5.4 本章小结第104-105页
6 总结与展望第105-108页
    6.1 总结第105-107页
    6.2 展望第107-108页
致谢第108-110页
参考文献第110-121页
附录 1 攻读博士学位期间发表及待发表论文目录第121页

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