| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 前言 | 第10-11页 |
| 1.2 太阳电池的工作原理 | 第11-12页 |
| 1.3 铜锡硫（Cu_2SnS_3）薄膜太阳电池的介绍 | 第12-14页 |
| 1.3.1 Cu_2SnS_3薄膜材料的特性 | 第12-13页 |
| 1.3.2 Cu_2SnS_3薄膜太阳电池的典型结构 | 第13页 |
| 1.3.3 Cu_2SnS_3薄膜太阳电池的发展及研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 Cu_2SnS_3薄膜的制备工艺 | 第14-17页 |
| 1.4.1 蒸发法 | 第14-15页 |
| 1.4.2 溅射法 | 第15页 |
| 1.4.3 脉冲激光沉积法 | 第15-16页 |
| 1.4.4 喷雾热解法 | 第16页 |
| 1.4.5 电化学沉积法 | 第16页 |
| 1.4.6 直接溶液旋涂/涂敷法 | 第16-17页 |
| 1.4.7 其他制备方法 | 第17页 |
| 1.5 本文的研究意义及研究内容 | 第17-22页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第17-20页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 Cu_2SnS_3(CTS)薄膜材料的制备及表征方法 | 第22-27页 |
| 2.1 CTS薄膜材料的制备方法及设备 | 第22-24页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术及新型薄膜太阳电池成膜系统 | 第22-23页 |
| 2.1.2 硫化技术及红外快速硫化炉 | 第23-24页 |
| 2.2 CTS薄膜材料的测试表征及设备 | 第24-27页 |
| 2.2.1 薄膜的表面形貌及化学组分分析 | 第24-25页 |
| 2.2.2 薄膜的晶体结构及物相分析 | 第25-26页 |
| 2.2.3 薄膜的光学性能表征 | 第26页 |
| 2.2.4 薄膜的电学性能表征 | 第26-27页 |
| 第3章 Cu_2SnS_3(CTS)薄膜材料的制备与性能表征 | 第27-45页 |
| 3.1 Sn/CuS预制层制备CTS薄膜 | 第27-36页 |
| 3.1.1 预制层的设计及制备 | 第27-28页 |
| 3.1.2 预制层的硫化 | 第28-30页 |
| 3.1.3 硫化过程中升温速率的探究 | 第30-31页 |
| 3.1.4 硫化温度的探究 | 第31-34页 |
| 3.1.5 CTS薄膜光学性能的测试表征 | 第34-35页 |
| 3.1.6 CTS薄膜电学性能的测试表征 | 第35-36页 |
| 3.2 Sn/Cu预制层制备CTS薄膜 | 第36-44页 |
| 3.2.1 预制层的设计及制备 | 第36页 |
| 3.2.2 预制层的硫化 | 第36-38页 |
| 3.2.3 硫化过程中升温速率的探究 | 第38-39页 |
| 3.2.4 硫化温度的探究 | 第39-42页 |
| 3.2.5 CTS薄膜光学性能的测试表征 | 第42-43页 |
| 3.2.6 CTS薄膜电学性能的测试表征 | 第43-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 Cu_2SnS_3(CTS)薄膜太阳电池的制备 | 第45-54页 |
| 4.1 两种不同预制层制备CTS吸收层的比较 | 第45-48页 |
| 4.2 Cu_2SnS_3薄膜太阳电池的制备 | 第48-50页 |
| 4.2.1 化学水浴法沉积硫化镉（CdS）缓冲层 | 第48-49页 |
| 4.2.2 射频磁控溅射法制备掺铝氧化锌（AZO）窗口层 | 第49-50页 |
| 4.3 Cu_2SnS_3薄膜太阳电池的测试与分析 | 第50-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 结论及展望 | 第54-57页 |
| 5.1 主要结论 | 第54-55页 |
| 5.2 论文创新点 | 第55-56页 |
| 5.3 研究中的问题及未来的展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和研究成果 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
