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二氧化铪纳米薄膜的溶胶—凝胶制备工艺研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-24页
    1.1 HfO_2高-k薄膜材料及其在微电子工业中应用现状第8-11页
    1.2 HfO_2薄膜材料铁电性质的研究现状及应用前景第11-17页
        1.2.1 HfO_2基铁电薄膜的研究现状第12-16页
        1.2.2 HfO_2基铁电薄膜应用前景第16-17页
    1.3 HfO_2薄膜的制备方法第17-23页
        1.3.1 原子层沉积法(ALD)第17-18页
        1.3.2 物理气相沉积法(PVD)第18页
        1.3.3 溶胶-凝胶法(Sol-Gel)第18-23页
            1.3.3.1 溶胶.凝胶工艺的技术特点第19-20页
            1.3.3.2 溶胶凝胶法制备HfO_2薄膜的研究现状第20-23页
    1.4 本论文的研究目的及内容第23-24页
第二章 实验部分第24-36页
    2.1 实验试剂和仪器第24-25页
    2.2 实验原理及方法第25-33页
        2.2.1 基片清洗第25-26页
        2.2.2 表面溶胶-凝胶法制备HfO_2薄膜工艺第26-27页
        2.2.3 纯水基溶胶-凝胶法制备HfO_2薄膜及钇掺杂HfO_2薄膜工艺第27-29页
        2.2.4 钇掺杂薄膜电容器的制备第29-33页
    2.3 HfO_2薄膜性能的表征第33-36页
        2.3.1 溶胶性能分析第33页
        2.3.2 表面形貌表征第33-34页
        2.3.3 薄膜厚度表征第34-35页
        2.3.4 薄膜成分分析第35页
        2.3.5 电学性能测试第35-36页
第三章 表面溶胶-凝胶法制备HfO_2薄膜的性能表征第36-43页
    3.1 表面溶胶-凝胶制备薄膜厚度测量第36-37页
    3.2 薄膜表面形貌观察与粗糙度的测量第37-38页
    3.3 薄膜成分分析第38-40页
    3.4 表面溶胶-凝胶工艺分析第40-41页
    3.5 本章小结第41-43页
第四章 纯水基溶胶.凝胶法制备钇掺杂HfO_2薄膜的性能表征第43-55页
    4.1 溶胶性能测试第43-45页
    4.2 基片清洗工艺分析第45-47页
    4.3 硅基片表面纯HfO_2薄膜的制备与分析第47-51页
        4.3.1 薄膜厚度测量第49-50页
        4.3.2 表面形貌测量第50页
        4.3.3 成分分析(XPS)第50-51页
    4.4 钇掺杂HfO_2薄膜的制备与分析第51-53页
        4.4.1 钇掺杂量分析(XPS)第52页
        4.4.2 表面形貌分析第52-53页
    4.5 本章小结第53-55页
第五章 HfO_2基薄膜电容器的制备及其电学性能测试第55-59页
    5.1 钇掺杂HfO_2薄膜电容器的集成及退火工艺的选择第55页
    5.2 钇掺杂HfO_2薄膜电容器的电学性能测量第55-59页
第六章 结论第59-60页
参考文献第60-64页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第64-65页
致谢第65-66页

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