碳化硅磨削去除机理及亚表面裂纹研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 陶瓷材料磨削加工技术研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 陶瓷材料磨削加工方法 | 第9-11页 |
| 1.2.2 陶瓷磨削机理研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.3 磨削亚表面损伤研究现状 | 第13页 |
| 1.3 颗粒流离散单元法研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.1 离散元方法发展现状 | 第13-14页 |
| 1.3.2 硬脆材料加工离散元仿真 | 第14页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 碳化硅单颗磨粒磨削过程离散元仿真 | 第16-33页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 陶瓷磨削加工离散元仿真的理论基础 | 第16-18页 |
| 2.2.1 颗粒流离散元的材料集合方式 | 第16-17页 |
| 2.2.2 颗粒流离散元的计算方法 | 第17-18页 |
| 2.3 碳化硅陶瓷材料的离散元模型的建立 | 第18-25页 |
| 2.3.1 离散元模型的粒径及材料规模选取 | 第18-19页 |
| 2.3.2 离散元材料的生成 | 第19页 |
| 2.3.3 材料参数的校准 | 第19-25页 |
| 2.4 碳化硅磨削过程离散元仿真 | 第25-32页 |
| 2.4.1 建立单颗磨粒磨削离散元模型 | 第25-26页 |
| 2.4.2 碳化硅磨削仿真应力分析 | 第26-29页 |
| 2.4.3 磨削深度对亚表面裂纹的影响 | 第29-30页 |
| 2.4.4 磨削速度对亚表面裂纹及磨削力的影响 | 第30-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 碳化硅陶瓷维氏压头压痕与刻划实验 | 第33-45页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 维氏压痕实验 | 第33-38页 |
| 3.2.1 碳化硅维氏压痕尺寸与硬度 | 第34-35页 |
| 3.2.2 碳化硅陶瓷维氏压痕裂纹尺寸与断裂韧性 | 第35-38页 |
| 3.2.3 碳化硅陶瓷维氏压痕断裂破坏 | 第38页 |
| 3.3 维氏压头刻划实验 | 第38-44页 |
| 3.3.1 陶瓷材料单颗磨粒磨削模型 | 第39-40页 |
| 3.3.2 实验设备与方案 | 第40-41页 |
| 3.3.3 刻划实验结果 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 碳化硅陶瓷磨削实验及亚表面裂纹研究 | 第45-59页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 碳化硅陶瓷磨削亚表面裂纹检测方法 | 第45-47页 |
| 4.2.1 常用亚表面裂纹检测方法 | 第45-46页 |
| 4.2.2 离子截面抛光技术 | 第46-47页 |
| 4.3 碳化硅陶瓷磨削实验 | 第47-51页 |
| 4.3.1 磨削工艺试验 | 第47-49页 |
| 4.3.2 磨削表面形貌与去除机理 | 第49-51页 |
| 4.4 碳化硅陶瓷磨削亚表面损伤 | 第51-58页 |
| 4.4.1 磨削表面破碎层深度 | 第51-53页 |
| 4.4.2 磨削亚表面裂纹 | 第53-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
