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模板法合成介孔InVO4纳米材料及应用

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第9-17页
    1.1 光催化反应机理第10页
    1.2 新型光催化剂研究现状第10-12页
        1.2.1 新型可见光催化剂InVO_4第10-11页
        1.2.2 InVO_4光催化剂的负载与掺杂第11页
        1.2.3 InVO_4光催化剂的形貌研究进展第11-12页
    1.3 纳米介孔材料第12-14页
        1.3.1 纳米材料第12-13页
        1.3.2 介孔材料第13页
        1.3.3 介孔材料的制备方法第13-14页
    1.4 纳米介孔材料的表征方法第14-16页
        1.4.1 X射线衍射(XRD)第14页
        1.4.2 热重分析法(TGA)第14页
        1.4.3 氮气吸附法(BJH/BET)第14-15页
        1.4.4 电子显微镜(SEM/TEM)第15页
        1.4.5 X射线电子能谱(XPS)第15页
        1.4.6 傅里叶红外光谱(FTIR)第15-16页
    1.5 本文研究内容与创新点第16-17页
        1.5.1 研究内容第16页
        1.5.2 本文创新点第16-17页
2 实验部分第17-21页
    2.1 实验仪器及药品第17-18页
        2.1.1 仪器第17页
        2.1.2 药品第17-18页
    2.2 软模板法制备介孔InVO_4晶体第18-19页
        2.2.1 前驱体的制备第18页
        2.2.2 样品的合成第18页
        2.2.3 样品的表征第18-19页
    2.3 硬模板法制备InVO_4晶体第19-21页
        2.3.1 MCM-48硬模板的制备第19页
        2.3.2 MCM-48模板的表征第19页
        2.3.3 前驱体的制备第19页
        2.3.4 样品的合成第19页
        2.3.5 样品的表征第19-21页
3 结果与讨论第21-48页
    3.1 软模板法合成InVO_4样品的表征结果第21-32页
        3.1.0 前驱体TG分析第21页
        3.1.1 前驱体的XRD表征第21-23页
        3.1.2 InVO_4-P123样品的SEM表征第23-25页
        3.1.3 InVO_4-P123样品的TEM表征第25-26页
        3.1.4 InVO_4-P样品的XPS分析第26-27页
        3.1.5 InVO_4-P样品的FTIR分析第27页
        3.1.6 InVO_4-P样品的N_2吸附脱附分析第27-28页
        3.1.7 软模板法合成InVO_4光催化剂机理探讨第28-29页
        3.1.8 InVO_4-P的可见光催化性能分析第29-32页
        3.1.9 小结第32页
    3.2 MCM-48模板表征结果第32-35页
        3.2.1 MCM-48的XRD表征第32页
        3.2.2 MCM-48的SEM表征第32页
        3.2.3 MCM-48模板的TEM表征第32-34页
        3.2.4 MCM-48模板的氮气吸附脱附曲线第34页
        3.2.5 小结第34-35页
    3.3 硬模板法合成InVO_4样品的表征第35-48页
        3.3.0 InVO_4-MCM48前驱体的TG分析第35页
        3.3.1 InVO_4-MCM48样品的SEM分析第35-39页
        3.3.2 InVO_4-MCM48样品的TEM分析第39页
        3.3.3 InVO_4-MCM48样品的XRD分析第39-40页
        3.3.4 InVO_4-M样品的XPS分析第40-41页
        3.3.5 InVO_4-M样品的N_2吸附脱附分析第41-42页
        3.3.6 InVO_4-M样品的FTIR性能测试第42页
        3.3.7 硬模板法合成InVO_4光催化剂机理探讨第42-44页
        3.3.8 InVO_4-M样品的可见光催化性测试第44-45页
        3.3.9 光催化反应机理第45-46页
        3.3.10 小结第46-48页
结论第48-49页
参考文献第49-52页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第52-53页
致谢第53页

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