摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
1 绪论 | 第9-17页 |
1.1 光催化反应机理 | 第10页 |
1.2 新型光催化剂研究现状 | 第10-12页 |
1.2.1 新型可见光催化剂InVO_4 | 第10-11页 |
1.2.2 InVO_4光催化剂的负载与掺杂 | 第11页 |
1.2.3 InVO_4光催化剂的形貌研究进展 | 第11-12页 |
1.3 纳米介孔材料 | 第12-14页 |
1.3.1 纳米材料 | 第12-13页 |
1.3.2 介孔材料 | 第13页 |
1.3.3 介孔材料的制备方法 | 第13-14页 |
1.4 纳米介孔材料的表征方法 | 第14-16页 |
1.4.1 X射线衍射(XRD) | 第14页 |
1.4.2 热重分析法(TGA) | 第14页 |
1.4.3 氮气吸附法(BJH/BET) | 第14-15页 |
1.4.4 电子显微镜(SEM/TEM) | 第15页 |
1.4.5 X射线电子能谱(XPS) | 第15页 |
1.4.6 傅里叶红外光谱(FTIR) | 第15-16页 |
1.5 本文研究内容与创新点 | 第16-17页 |
1.5.1 研究内容 | 第16页 |
1.5.2 本文创新点 | 第16-17页 |
2 实验部分 | 第17-21页 |
2.1 实验仪器及药品 | 第17-18页 |
2.1.1 仪器 | 第17页 |
2.1.2 药品 | 第17-18页 |
2.2 软模板法制备介孔InVO_4晶体 | 第18-19页 |
2.2.1 前驱体的制备 | 第18页 |
2.2.2 样品的合成 | 第18页 |
2.2.3 样品的表征 | 第18-19页 |
2.3 硬模板法制备InVO_4晶体 | 第19-21页 |
2.3.1 MCM-48硬模板的制备 | 第19页 |
2.3.2 MCM-48模板的表征 | 第19页 |
2.3.3 前驱体的制备 | 第19页 |
2.3.4 样品的合成 | 第19页 |
2.3.5 样品的表征 | 第19-21页 |
3 结果与讨论 | 第21-48页 |
3.1 软模板法合成InVO_4样品的表征结果 | 第21-32页 |
3.1.0 前驱体TG分析 | 第21页 |
3.1.1 前驱体的XRD表征 | 第21-23页 |
3.1.2 InVO_4-P123样品的SEM表征 | 第23-25页 |
3.1.3 InVO_4-P123样品的TEM表征 | 第25-26页 |
3.1.4 InVO_4-P样品的XPS分析 | 第26-27页 |
3.1.5 InVO_4-P样品的FTIR分析 | 第27页 |
3.1.6 InVO_4-P样品的N_2吸附脱附分析 | 第27-28页 |
3.1.7 软模板法合成InVO_4光催化剂机理探讨 | 第28-29页 |
3.1.8 InVO_4-P的可见光催化性能分析 | 第29-32页 |
3.1.9 小结 | 第32页 |
3.2 MCM-48模板表征结果 | 第32-35页 |
3.2.1 MCM-48的XRD表征 | 第32页 |
3.2.2 MCM-48的SEM表征 | 第32页 |
3.2.3 MCM-48模板的TEM表征 | 第32-34页 |
3.2.4 MCM-48模板的氮气吸附脱附曲线 | 第34页 |
3.2.5 小结 | 第34-35页 |
3.3 硬模板法合成InVO_4样品的表征 | 第35-48页 |
3.3.0 InVO_4-MCM48前驱体的TG分析 | 第35页 |
3.3.1 InVO_4-MCM48样品的SEM分析 | 第35-39页 |
3.3.2 InVO_4-MCM48样品的TEM分析 | 第39页 |
3.3.3 InVO_4-MCM48样品的XRD分析 | 第39-40页 |
3.3.4 InVO_4-M样品的XPS分析 | 第40-41页 |
3.3.5 InVO_4-M样品的N_2吸附脱附分析 | 第41-42页 |
3.3.6 InVO_4-M样品的FTIR性能测试 | 第42页 |
3.3.7 硬模板法合成InVO_4光催化剂机理探讨 | 第42-44页 |
3.3.8 InVO_4-M样品的可见光催化性测试 | 第44-45页 |
3.3.9 光催化反应机理 | 第45-46页 |
3.3.10 小结 | 第46-48页 |
结论 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-52页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
致谢 | 第53页 |