| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 课题的来源 | 第9页 |
| 1.2 课题的研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第10-27页 |
| 1.3.1 SiC封装方法的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3.2 纳米金属低温烧结的研究现状 | 第11-16页 |
| 1.3.3 低温烧结纳米银膏的制备与连接 | 第16-24页 |
| 1.3.4 纳米银烧结体性能的研究现状 | 第24-27页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 材料及试验方法 | 第29-39页 |
| 2.1 试验材料与制备 | 第29-31页 |
| 2.1.1 纳米银颗粒的制备 | 第29-30页 |
| 2.1.2 纳米银膏的配制 | 第30页 |
| 2.1.3 烧结连接试样的制备 | 第30-31页 |
| 2.2 分析测试方法 | 第31-38页 |
| 2.2.1 有机物粘度的测试 | 第31-32页 |
| 2.2.2 低温烧结纳米银膏的表征 | 第32-33页 |
| 2.2.3 纳米银膏烧结试样的测试 | 第33-36页 |
| 2.2.4 纳米银膏烧结连接接头的测试 | 第36-38页 |
| 2.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 低温烧结纳米银膏的制备及烧结工艺探索 | 第39-49页 |
| 3.1 低温烧结纳米银膏的制备 | 第39-42页 |
| 3.1.1 有机成分系统的设计 | 第39-41页 |
| 3.1.2 适宜粘度纳米银膏的配制 | 第41-42页 |
| 3.2 纳米银膏热性能分析 | 第42-43页 |
| 3.3 有机成分挥发对纳米银膏烧结连接的影响 | 第43-47页 |
| 3.3.1 芯片与基板烧结连接 | 第43-45页 |
| 3.3.2 连接层内部缺陷检测 | 第45-46页 |
| 3.3.3 剪切强度测试 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 纳米银膏烧结结构性能研究 | 第49-56页 |
| 4.1 纳米银膏烧结试样性能研究 | 第49-53页 |
| 4.1.1 导热性能测试 | 第49-50页 |
| 4.1.2 导电性能测试 | 第50-52页 |
| 4.1.3 硬度测试 | 第52页 |
| 4.1.4 热膨胀系数测试 | 第52-53页 |
| 4.2 I-V曲线测试 | 第53-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 纳米银膏低温烧结连接工艺及接头性能研究 | 第56-75页 |
| 5.1 纳米银膏低温烧结连接金属基板工艺研究 | 第56-70页 |
| 5.1.1 热压烧结参数范围确定 | 第57-58页 |
| 5.1.2 正交试验设计 | 第58-60页 |
| 5.1.3 正交试验极差分析法 | 第60页 |
| 5.1.4 正交试验方差分析法 | 第60-62页 |
| 5.1.5 试验结果分析 | 第62-70页 |
| 5.2 低温烧结连接工艺参数对接头性能的影响及其机理 | 第70-72页 |
| 5.3 连接接头表征 | 第72-74页 |
| 5.3.1 连接界面观察 | 第72-73页 |
| 5.3.2 断口分析 | 第73-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-83页 |
| 致谢 | 第83页 |